[发明专利]聚硅氧系粘着保护膜及包括其的光学元件

权利要求书

1.一种聚硅氧系粘着保护膜，由包含含烯基的有机聚硅氧烷、有机聚硅氧烷树脂、硅氧烷系离子化合物、交联剂及氢化硅烷化触媒的组成物形成，

其中所述有机聚硅氧烷树脂包括包含R¹R²R³SiO_1/2单元及SiO_4/2单元的有机聚硅氧烷树脂，且

其中R¹、R²及R³各自独立地为C₁至C₆烷基，

其中所述聚硅氧系粘着保护膜具有由方程式2计算的25％或小于25％的残余剥离强度降低率：

[方程式2]

残余剥离强度降低率＝(M2-M1)/M2×100，

其中M1表示当自样品的被粘物移除所述聚硅氧系粘着保护膜时粘着带的剥离强度，所述剥离强度是在自所述样品移除所述聚硅氧系粘着保护膜且将所述粘着带贴附至已自其中移除所述聚硅氧系粘着保护膜的所述样品的表面并在25℃下置留30分钟后测量的，其中所述样品是通过经由所述聚硅氧系粘着保护膜将所述聚硅氧系粘着保护膜与离型膜的堆叠贴附至所述被粘物，在50℃下置留3天，并在25℃下冷却30分钟来制备，M1的单位：克力/25毫米；且

M2表示所述粘着带相对于没有贴附所述聚硅氧系粘着保护膜的初始被粘物的剥离强度，M2的单位：克力/25毫米。

2.根据权利要求1所述的聚硅氧系粘着保护膜，其中所述聚硅氧系粘着保护膜相对于被粘物具有3克力/25毫米或小于3克力/25毫米的剥离强度。

3.根据权利要求1所述的聚硅氧系粘着保护膜，其中所述聚硅氧系粘着保护膜具有由方程式1计算的50％或小于50％的剥离强度增加率：

[方程式1]

剥离强度增加率＝(P2-P1)/P1×100，

其中P1表示在所述聚硅氧系粘着保护膜及被粘物的样品中所述聚硅氧系粘着保护膜相对于所述被粘物的初始剥离强度，P1的单位：克力/25毫米；且

P2表示在所述样品在50℃下置留3天后测量的所述样品的所述聚硅氧系粘着保护膜相对于所述被粘物的剥离强度，P2的单位：克力/25毫米。

4.根据权利要求1所述的聚硅氧系粘着保护膜，其中所述聚硅氧系粘着保护膜具有1.0×10¹⁰Ω/γ至1.0×10¹³Ω/γ的表面电阻。

5.根据权利要求1所述的聚硅氧系粘着保护膜，其中所述硅氧烷系离子化合物包括键结硅氧烷基的阳离子-阴离子共轭物。

6.根据权利要求5所述的聚硅氧系粘着保护膜，其中所述硅氧烷基包括不含C₂至C₁₀烯基的硅氧烷基。

7.根据权利要求5所述的聚硅氧系粘着保护膜，其中所述阳离子包括吡啶鎓、哒嗪鎓、嘧啶鎓、吡嗪鎓、咪唑鎓、吡唑鎓、噻唑鎓、恶唑鎓或三唑鎓阳离子，且所述阴离子包括选自全氟烷基磺酸盐、氰基全氟烷基磺酰基酰亚胺、双(氰基)全氟烷基磺酰基甲基化物、双(全氟烷基磺酰基)酰亚胺、双(全氟烷基磺酰基)甲基化物及三(全氟烷基磺酰基)甲基化物的群组中的至少一者。

8.根据权利要求1所述的聚硅氧系粘着保护膜，其中相对于100重量份的所述含烯基的有机聚硅氧烷，所述硅氧烷系离子化合物以0.001重量份至3重量份的量存在。

9.根据权利要求1所述的聚硅氧系粘着保护膜，其中所述有机聚硅氧烷树脂不含C₂至C₁₀烯基。

10.根据权利要求1所述的聚硅氧系粘着保护膜，其中所述R¹R²R³SiO_1/2单元及所述SiO_4/2单元以0.5:1至1.5:1的摩尔比存在于所述有机聚硅氧烷树脂中。