[发明专利]一种磁共振成像无接触巴伦及其匹配电容确定方法及应用在审
| 申请号: | 202211473827.5 | 申请日: | 2022-11-22 |
| 公开(公告)号: | CN116522840A | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
| 发明(设计)人: | 王为民;孙振;刘金浩 | 申请(专利权)人: | 北京大学深圳研究生院;北京大学 |
| 主分类号: | G06F30/367 | 分类号: | G06F30/367;H01P5/10;A61B5/055;G06F111/10;G06F113/16 |
| 代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人: | 黄凤茹 |
| 地址: | 518055 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 磁共振 成像 接触 及其 匹配 电容 确定 方法 应用 | ||
1.一种磁共振成像无接触巴伦的匹配电容确定方法,包括如下步骤:
1)无接触巴伦建模并求解得到无接触巴伦的匹配电容值;包括:
11)将无接触巴伦建模为由匹配电容、内外同轴圆柱导体和底端导体所组成的闭环电路;无接触巴伦的结构包括两个同轴圆柱导体、连接两个同轴圆柱导体的底端导体和匹配电容;且将匹配电容作为容阻串联元件;传输线与巴伦之间通过电磁感应耦合;
12)计算传输线与巴伦之间的互感;计算同轴圆柱导体之间的自电感和自电容;计算内外同轴圆柱导体电阻和底端导体的电阻;
导体部分的自电阻Rt为内外导体和底端导体的电阻之和,表示为:
Rt=R内+R外+R底
其中,R内、R外和R底分别表示同心圆柱内外导体和底端导体的电阻;
电流方向为巴伦长度方向,当集肤深度远小于导体厚度时,圆柱内导体电阻表示为:
其中;ρ为电阻率;l为导体长度;δ为集肤深度,σ为导体电导率,A为导体横截面面积;电流流过导体横截面面积A≈2π·a·δ;S为磁通面积;a为内导体半径;ω为频率;μ为磁导率;
圆柱外导体电阻表示为:
其中,b为外导体半径;
使用微积分的方法计算得到巴伦底端圆环导体总电阻为:
其中,r为圆环导体的半径;
13)利用匹配电容求解公式求解得到匹配电容值c,表示为:其中M为互感;Lt为巴伦自电感;I为电流,μ0为磁导率;φ为磁通量,ε为介电常数;
2)使用传输线模型分析带无接触巴伦的传输线,计算巴伦的抑制效果;
使用传输线模型分析带巴伦的传输线,将传输线分为三个不同部分,每部分对应不同的传输线阻抗;分析各部分传输线传输矩阵,再根据传输矩阵与散射参数之间的关系,计算得到带无接触巴伦传输线的传输系数随频率的变化,即得到巴伦的抑制效果;
3)根据带无接触巴伦传输线的传输系数判断巴伦的抑制效果;
4)通过电磁仿真方法对步骤1)得到的巴伦匹配电容值进行修正,确定巴伦匹配电容值;包括:对所设计的无接触巴伦实物进行1:1建模仿真,计算得到带巴伦传输线的传输系数;将步骤1)通过构建模型并计算所得的巴伦匹配电容值作为初始值,对巴伦匹配电容进行参数化计算,得到修正的巴伦匹配电容值;具体步骤为:
41)运行HFSS并新建工程,设置求解类型为模式驱动求解类型,设置当前设计在创建模型时所使用的默认长度单位;
42)定义设计变量并添加初值,包括:巴伦内半径、巴伦外半径、巴伦长度、传输线长度、匹配电容;
43)创建带巴伦传输线模型,设置端口激励为波端口激励,在仿真过程中将激励加载在传输线屏蔽层上,计算巴伦对共模电流的抑制效果;创建辐射边界的圆柱体并设置其边界条件为辐射边界条件;
44)选用集总参数设置匹配电容,匹配电容在巴伦一端沿圆周放置,初始值为步骤1)计算得到的匹配电容值;
45)求解设置;包括:求解频率、自适应网格剖分的最大迭代次数、收敛误差、扫频、扫频类型、传输线的传输系数;
46)对匹配电容设置参数化扫描,调谐至求解频率;
47)设计检查和运行仿真计算,即得到修正后的匹配电容值;
通过上述步骤,即实现磁共振成像无接触巴伦的匹配电容的确定。
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