[发明专利]一种氮氧传感器陶瓷芯片高温烧结用承烧板的制备方法

权利要求书

1.一种氮氧传感器陶瓷芯片高温烧结用承烧板的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)选择6-12mm厚的碳化硅基板为基础材料；

(2)对碳化硅基板进行表面研磨，使碳化硅基板表面平整度≤15μm；

(3)碳化硅基板表面进行喷砂处理，使喷砂后的外表面粗糙度达到ra值为20-25μm；

(4)在碳化硅基板上喷涂氧化铝涂层，氧化铝的颗粒度D50为5μm，同时添加1％的氧化镁粉体来促进烧结，该氧化铝涂层的厚度为300-500微米，烧结温度为1500-1600℃；

(5)烧结2-4h后形成复合涂层承烧板。

2.根据权利要求1所述的一种氮氧传感器陶瓷芯片高温烧结用承烧板的制备方法，其特征在于：步骤(1)，碳化硅基板的显气孔率在15-20％，1450℃的高温状态下，断裂强度为80MPa以上。

3.根据权利要求2所述的一种氮氧传感器陶瓷芯片高温烧结用承烧板的制备方法，其特征在于：所述碳化硅基板的耐高温的温度为1600℃以上。

4.根据权利要求3所述的一种氮氧传感器陶瓷芯片高温烧结用承烧板的制备方法，其特征在于：所述复合涂层承烧板的上表面上一体设置有第一氧化铝涂层，复合涂层承烧板的下表面上一体设置有第二氧化铝涂层。

5.根据权利要求4所述的一种氮氧传感器陶瓷芯片高温烧结用承烧板的制备方法，其特征在于：所述复合涂层承烧板的上表面边缘设置有第一氧化铝导柱，复合涂层承烧板的下表面边缘设置有第二氧化铝导柱。