[发明专利]施密特触发器电路及相关的电子电路和电子设备在审

专利信息
申请号: 202211385133.6 申请日: 2022-11-07
公开(公告)号: CN115694435A 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 王飞;郑鲲鲲 申请(专利权)人: 广东鸿翼芯汽车电子科技有限公司
主分类号: H03K3/3565 分类号: H03K3/3565;H03K3/011
代理公司: 上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343 代理人: 陈成;周冬文
地址: 510535 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 施密特触发器 电路 相关 电子电路 电子设备
【权利要求书】:

1.一种施密特触发器电路,其特征在于,包括:电压输入端、迟滞电平产生电路单元、翻转电路单元以及反相电路单元;

所述翻转电路单元,被配置为具有一固定的上升翻转电压和一固定的下降翻转电压,所述翻转电路单元用于接收所述电压输入端的输入电压,当所述电压输入端输入的电压由低电平开始增大至超过上升翻转电压时,所述翻转电路单元的输出端电平进行翻转,当所述电压输入端的输入电压从超过上升翻转电压开始下降至下降翻转电压时,所述翻转电路单元的输出端电平进行再次翻转;

所述迟滞电平产生电路单元,用于在所述输入电压超过上升翻转电压的情况下,产生一迟滞电压作用于所述翻转电路单元,使所述下降翻转电压小于所述上升翻转电压,产生电压迟滞;

所述反相电路单元,用于对所述翻转电路单元的输出端电平取反后输出。

2.根据权利要求1所述的施密特触发器电路,其特征在于,所述翻转电路单元的第一端用于接收所述输入电压,且所述翻转电路单元的第一端接所述迟滞电平产生电路单元的第一端,所述翻转电路单元的第三端接地,所述翻转电路单元的输出端接所述反相电路单元的输入端;

所述迟滞电平产生电路单元的第三端接所述电源端;

所述反相电路单元的的第一端接地,所述反相电路单元的输出端接电压输出端。

3.根据权利要求1或2所述的施密特触发器电路,其特征在于,所述翻转电路单元包括第一翻转MOS管及上拉电阻单元;

所述第一翻转MOS管的栅极作为所述翻转电路单元的第一端,所述第一翻转MOS管的第一端作为所述翻转电路单元的第三端,所述第一翻转MOS管的第二端作为所述翻转电路单元的输出端,所述第一翻转MOS管的第二端接所述上拉电阻单元的第一端;

所述上拉电阻单元的第二端作为所述翻转电路单元的第二端接所述迟滞电平产生电路的第二端。

4.根据权利要求3所述的施密特触发器电路,其特征在于,所述上拉电阻单元包括第一上拉电阻及第二上拉电阻;

所述第一上拉电阻的第一端连接所述第二上拉电阻的第二端;

所述第二上拉电阻的第二端作为所述上拉电阻单元的第二端,所述第二上拉电阻的第一端作为所述上拉电阻单元的第一端。

5.根据权利要求3所述的施密特触发器电路,其特征在于,所述翻转电路单元还包括分压单元;

所述分压单元包括第一分压电阻及第二分压电阻;

所述第一分压电阻的第一端接所述电压输入端,所述第一分压电阻的第二端接所述第一翻转MOS管的栅极;

所述第二分压电阻的第一端接所述第一翻转MOS管的栅极,所述第二分压电阻的第二端接所述第一翻转MOS管的第一端。

6.根据权利要求3所述的施密特触发器电路,其特征在于,所述第一翻转MOS管为NMOS管。

7.根据权利要求1或2所述的施密特触发器电路,其特征在于,所述迟滞电平产生电路单元包括第一迟滞电阻、第一迟滞MOS管、第二迟滞MOS管及第三迟滞MOS管;

所述第一迟滞电阻的第一端作为所述迟滞电平产生电路单元的第三端,所述第一迟滞电阻的第二端接所述第一迟滞MOS管的第一端;

所述第一迟滞MOS管的第二端作为所述迟滞电平产生电路单元的第一端,所述第一迟滞MOS管的第栅极接所述第三迟滞MOS管的栅极;

所述第三迟滞MOS管的第二端连接所述第三迟滞MOS管的栅极,所述第三迟滞MOS管的第二端作为所述迟滞电平产生电路单元的第二端,所述第三迟滞MOS管的第一端接所述第二迟滞MOS管的第二端;

所述第二迟滞MOS管的第二端接所述第二迟滞MOS管的栅极,所述第二迟滞MOS管的第一端接所述第一迟滞电阻的第一端。

8.根据权利要求7所述的施密特触发器电路,其特征在于,所述第一迟滞MOS管和所述第三迟滞MOS管的宽长比一样。

9.根据权利要求7所述的施密特触发器电路,其特征在于,所述第二迟滞MOS管的宽长比和所述第二上拉电阻的阻值满足所述第二迟滞MOS管上流过的电流在μA级。

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