[发明专利]一种基于EDXs的多相Tax 在审
申请号: | 202211371014.5 | 申请日: | 2022-11-03 |
公开(公告)号: | CN115639234A | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 魏家轩;刘璞;陈峥;陈豪;陈国华 | 申请(专利权)人: | 钢研纳克成都检测认证有限公司 |
主分类号: | G01N23/223 | 分类号: | G01N23/223 |
代理公司: | 成都华烨专利代理事务所(普通合伙) 51336 | 代理人: | 孙梦娅 |
地址: | 610000 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 edxs 多相 ta base sub | ||
1.一种基于EDXs的多相TaxC1-x全定量分析方法,其特征在于,包括以下步骤:
S01、准备TaC化合物样品;
S02、通过X射线光谱仪采集TaC化合物样品的实际测量光谱;
S03、对实际测量光谱进行分析,得到TaL/CK和/或TaM/CK的值的真实样本;
S04、改变X射线光谱仪的探针打入TaC化合物样品的位置,使探针下TaC化合物样品的厚度在100nm~1000nm之间变化,重复步骤S02、S03,并制作TaL/CK与TaC化合物样品厚度,和/或TaM/CK与TaC化合物样品厚度的第一关系曲线图;
S05、根据所述第一关系曲线图,确定TaL/CK和/或TaM/CK的值趋向平稳时TaC化合物样品的临界厚度D1;
S06、建立由通过计算机模拟得到的TaC化合物中Ta和C不同含量时模拟特征光谱的模拟光谱库,选择探针下TaC化合物样品的厚度不小于所述临界厚度D1的一个第一真实样本,将所述第一真实样本对应的第一实际测量光谱在模拟光谱库内对比得到最匹配的目标特征光谱,确定所述目标特征光谱对应的Ta和C含量为TaC化合物样品中的真实Ta和C含量。
2.根据权利要求1所述的一种基于EDXs的多相TaxC1-x全定量分析方法,其特征在于,所述步骤S03中,对实际测量光谱进行分析,包括:
根据所述实际测量光谱,通过casino软件绘制TaL、TaM和CK的背景图,对TaL、TaM和CK的背景图经过高斯拟合后,根据TaL、TaM和CK的背景图中TaL、TaM和CK的X射线光谱峰值强度,确定TaL/CK和TaM/CK的值。
3.根据权利要求1所述的一种基于EDXs的多相TaxC1-x全定量分析方法,其特征在于,所述TaC化合物样品包括衬底和目标体,所述衬底采用环氧树脂材质,所述目标体包括TaC化合物,所述目标体固定设置在衬底的顶壁上,所述目标体的表面与衬底的表面齐平。
4.根据权利要求3所述的一种基于EDXs的多相TaxC1-x全定量分析方法,其特征在于,还包括以下步骤:
S07、根据测得的真实Ta和C含量,使TaC化合物样品中衬底的厚度保持定值D2,探针下目标体的厚度在100nm~1000nm之间变化,重复步骤S02、S03,并制作TaL/CK与目标体厚度,和/或TaM/CK与目标体厚度的第二关系曲线图;
S08、通过计算机模拟真实Ta和C含量的模拟TaC化合物在厚度为100nm~1000nm之间变化时,TaL/CK与模拟TaC化合物厚度,和/或TaM/CK与模拟TaC化合物厚度的第三关系曲线图;
S09、比较第二关系曲线图与第三关系曲线图,选取两个关系曲线图中曲线会聚时的目标体厚度为D3,当:
-10nm≤D1-(D2+D3)≤10nm
确定所述衬底对Ta和C的定量无影响。
5.根据权利要求4所述的一种基于EDXs的多相TaxC1-x全定量分析方法,其特征在于,所述目标体为半球形,所述目标体的球面朝向衬底,所述目标体的直径为4*e6nm;
所述步骤S04中,X射线光谱仪的探针从目标体与衬底分界面处向目标体中心水平直线移动,制作第一关系曲线图同时制作TaC化合物样品厚度与探针水平移动距离的第四关系曲线图;
根据临界厚度D1查询第四关系曲线图,获得探针水平移动距离D4,并确定在以目标体中心为圆心、以4*e6nm-2D4为直径的区域内,测得的TaL/CK和/或TaM/CK的值趋向平稳。
6.根据权利要求1所述的一种基于EDXs的多相TaxC1-x全定量分析方法,还包括以下步骤:
S10、根据步骤S06所述的第一真实样本的TaL、TaM和CK的X射线光谱峰值强度,通过Cliff-Lorimer因子计算公式,计算获得Ta和C计算含量,比较真实Ta和C含量与Ta和C计算含量,当确定真实Ta和C含量与Ta和C计算含量之间差异小于8%时,确定测得的真实Ta和C含量准确。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于钢研纳克成都检测认证有限公司,未经钢研纳克成都检测认证有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211371014.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件结温测试方法及半导体器件结温测试系统
- 下一篇:氧化镱的纯化方法