[发明专利]含CMOS图像传感器像素和动态视觉传感器像素的图像传感器在审

专利信息
申请号: 202211349902.7 申请日: 2019-09-09
公开(公告)号: CN115696081A 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 徐润宰;金俊奭;柳贤锡;朴根柱;伊藤真路 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H04N25/76 分类号: H04N25/76;H04N25/78
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 赵南;李竞飞
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: cmos 图像传感器 像素 动态 视觉 传感器
【说明书】:

一种图像传感器包括CIS(CMOS图像传感器)像素、DVS(动态视觉传感器)和图像信号处理器。CIS像素包括:光电转换器件,其生成与入射光对应的电荷;和读出电路,其生成与生成的电荷对应的输出电压。DVS像素基于生成的电荷来检测入射光的强度的变化,并输出事件信号,并且不包括单独的光电转换器件。图像信号处理器使光电转换器件能够连接到读出电路或DVS像素。

本申请是申请日为2019年9月9日,申请号为2019108568114,发明名称为“含CMOS图像传感器像素和动态视觉传感器像素的图像传感器”的发明申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年9月7日提交到韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2018-0107280以及于2019年3月13日提交到韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2019-0028938的优先权,其公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本公开涉及图像传感器,并且更具体地,涉及包括两种不同种类的像素的图像传感器。

背景技术

传统类型的图像传感器包括互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器和动态视觉传感器。CMOS图像传感器的优点可以在于捕获的图像在没有修改的情况下被提供给用户,但CMOS图像传感器的缺点可以在于要处理的数据量高。因为动态视觉传感器仅检测光的强度改变的事件并且提供检测到的事件的输出,所以动态视觉传感器的优点可以在于要处理的数据量低,但是缺点可以在于动态视觉传感器的尺寸大于CMOS图像传感器的尺寸。

然而,CMOS图像传感器和动态视觉传感器二者可能都需要用于检测光的光电转换器件。通常,因为光电转换器件占据图像传感器的大部分尺寸,所以当CMOS图像传感器和动态视觉传感器一起实现在一个装置中时,装置的尺寸会增加。因此,存在对用于减小图像传感器尺寸并降低图像传感器制造成本的图像传感器的结构的需求。

发明内容

本公开的实施例的各方面提供了用于CMOS图像传感器和动态视觉传感器共享光电转换器件的结构。

实施例的各方面提供了一种其中动态视觉传感器使用包括在CMOS图像传感器中的光电转换器件的结构。

根据实施例,一种图像传感器包括:CIS像素,其包括光电转换器件和读出电路,光电转换器件被配置为生成与入射在CIS像素上的入射光对应的电荷,读出电路被配置为生成与电荷对应的输出电压;动态视觉传感器(DVS)像素,其被配置为基于由所述光电转换器件生成的电荷来检测入射光的强度的变化,并且基于强度的变化输出事件信号;和图像信号处理器,其被配置为选择性地控制图像传感器以基于由CIS像素生成的输出电压生成图像传感器的第一图像数据,并基于由DVS像素生成的事件信号生成第二图像数据。

根据实施例,一种图像传感器包括:CIS像素,其包括:光电转换器件、驱动晶体管和复位晶体管,光电转换器件被配置为生成与入射在CIS像素上的入射光对应的电荷,驱动晶体管包括连接到浮置扩散节点的栅电极,光电转换器件生成的电荷被传输到浮置扩散节点,复位晶体管被配置为将浮置扩散节点的电压复位;动态视觉传感器(DVS)像素,DVS像素包括对数电流源,DVS像素被配置为基于光电转换器件生成的电荷检测入射光的强度的变化,并基于强度的变化输出事件信号;和图像信号处理器,其被配置为将复位晶体管的栅电极和驱动晶体管的一端连接到对数电流源。

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