[发明专利]含CMOS图像传感器像素和动态视觉传感器像素的图像传感器在审
| 申请号： | 202211349902.7 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN115696081A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 徐润宰;金俊奭;柳贤锡;朴根柱;伊藤真路 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H04N25/76 | 分类号： | H04N25/76;H04N25/78 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;李竞飞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 像素 动态 视觉 传感器 | ||
1.一种图像传感器，包括：
光电转换器件，其对入射光做出响应；
第一晶体管，其设置在所述光电转换器件和浮置扩散节点之间，并对传输控制信号做出响应；
第二晶体管，其包括连接到所述光电转换器件的第一电极、接收控制信号的栅电极和连接到事件检测电路的第三电极；
第三晶体管，其包括连接到所述浮置扩散节点的第一电极和接收复位控制信号的栅电极以及连接到电源电压的第三电极，以及
第四晶体管，其包括连接到所述浮置扩散节点的栅电极，
其中，所述第二晶体管被配置为响应于所述控制信号使光电流能够从所述事件检测电路流到所述光电转换器件。
2.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述光电转换器件、所述第一晶体管和所述第二晶体管设置在第一半导体衬底中，并且所述事件检测电路设置在堆叠在所述第一半导体衬底上的第二半导体衬底中。
3.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第二晶体管的第三电极经由硅通孔或Cu对Cu键合连接到所述事件检测电路。
4.一种图像传感器，包括：
光电转换器件，其对入射光做出响应；
第一晶体管，其设置在所述光电转换器件和浮置扩散节点之间，并对传输控制信号做出响应；
第二晶体管，其包括连接到所述浮置扩散节点的第一电极、接收模式控制信号的栅电极以及连接到事件检测电路的第三电极；以及
第三晶体管，其包括连接到所述浮置扩散节点的第一电极和接收复位控制信号的栅电极以及连接到电源电压的第三电极。
5.如权利要求4所述的图像传感器，其中，所述光电转换器件、所述第一晶体管和所述第二晶体管设置在第一半导体衬底中，并且所述事件检测电路设置在堆叠在所述第一半导体衬底上的第二半导体衬底中。
6.如权利要求5所述的图像传感器，其中，所述第二晶体管的第三电极经由硅通孔或Cu对Cu键合连接到所述事件检测电路。
7.一种图像传感器，包括：
光电转换器件，其对入射光做出响应；
第一晶体管，其设置在所述光电转换器件和浮置扩散节点之间，并对传输控制信号做出响应；
在电源电压节点和所述浮置扩散节点之间彼此串联连接的第二晶体管和第三晶体管；
事件检测电路，其连接到所述第二晶体管和第三晶体管的共同节点；
第三晶体管，其包括连接到所述浮置扩散节点的栅电极；以及
第四晶体管，其连接到所述第三晶体管和列线，
其中，光电流从所述事件检测电路通过所述第二晶体管、所述第一晶体管和所述光电转换器件流到所述光电转换器件。
8.如权利要求7所述的图像传感器，其中，所述光电转换器件和所述第一晶体管至所述第四晶体管设置在第一半导体衬底中，并且所述事件检测电路设置在堆叠在所述第一半导体衬底上的第二半导体衬底中。
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