[发明专利]存储装置、存储装置控制器及其操作方法

说明书

提供了存储装置、存储装置控制器及其操作方法。一种操作存储装置控制器的方法，包括：接收原始数据，所述原始数据指示一系列位，每一个所述位对应于阈值电压状态之一；执行用于减小所述一系列位中的第一目标位的数量的第一状态整形，在多个页的第一页中，所述第一目标位的逻辑值等于所述阈值电压状态的目标阈值电压状态逻辑值；基于所述第一状态整形生成指示所述第一目标位的第一指示数据；压缩所述第一指示数据；并且存储压缩的第一指示数据。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年12月15日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0180047号以及于2022年3月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2022-0031645号的优先权，每一上述韩国专利申请的内容以引用的方式全部并入本文。

技术领域

此处描述的本公开内容的各实施例涉及存储装置控制器，并且更具体地涉及压缩指示数据(indicator data)的存储装置控制器、包括其的存储装置及操作其的方法。

背景技术

存储器件响应于写入请求来存储数据并且响应于读取请求来输出存储在其中的数据。例如，存储器件被分类为当电源切断时丢失其中存储的数据的易失性存储器件，诸如动态随机存取存储(DRAM)器件或静态RAM(SRAM)器件，或者当电源切断时保持其中存储的数据的非易失性存储器件，诸如闪存器件、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)或电阻性RAM(RRAM)。

非易失性存储器件的每一存储单元可以具有与数据的位值对应的编程的阈值电压状态。存储单元能够具有的多个阈值电压状态之中的特定阈值电压状态可能导致存储单元的性能降低(例如可靠性和/或使用期限降低)。在这种情况下，状态整形(stateshaping)编码可以用于减小会使性能退化的阈值电压分布所对应的位的数量。状态整形编码可以使用指示数据，所述指示数据指示多个阈值电压状态中的特定阈值电压状态。

发明内容

一方面提供了一种压缩指示数据的存储装置控制器、包括其的存储装置及操作其的方法。

根据一个或更多个实施例的一方面，提供了一种操作存储装置控制器的方法，所述方法包括：接收原始数据，所述原始数据指示一系列位，每一个所述位对应于多个阈值电压状态之一；执行用于减小所述一系列位中的第一目标位的数量的第一状态整形，在多个页的第一页中，所述第一目标位的逻辑值等于所述多个阈值电压状态中的目标阈值电压状态的逻辑值；基于所述第一状态整形生成指示所述第一目标位的第一指示数据；压缩所述第一指示数据；以及，存储压缩的第一指示数据。

根据一个或更多个实施例的另一方面，提供了一种存储装置控制器，包括：形状编码器，所述形状编码器被配置成接收指示一系列位的原始数据，每一个所述位对应于多个阈值电压状态之一；执行用于减小所述一系列位中的第一目标位的数量的第一状态整形；以及，基于所述第一状态整形生成指示所述第一目标位的第一指示数据；压缩器，所述压缩器被配置成压缩所述第一指示数据；以及易失性存储器件，所述易失性存储器件被配置成存储压缩的第一指示数据，其中在多个页的第一页中，所述第一目标位的逻辑值等于所述多个阈值电压状态中的目标阈值电压状态的逻辑值。

根据一个或更多个实施例的再一方面，提供了一种存储装置，包括：存储装置控制器，所述存储装置控制器被配置成接收指示一系列位的原始数据，每一个所述位对应于多个阈值电压状态之一，以及，对所述原始数据执行多个状态整形操作以生成编码数据；以及非易失性存储器件，所述非易失性存储器件被配置成存储所述编码数据，其中所述存储装置控制器包括：形状编码器，所述形状编码器被配置成执行所述多个状态整形操作中的第一状态整形操作以减小所述一系列位中的第一目标位的数量，并且基于所述第一状态整形生成指示所述第一目标位的第一指示数据；压缩器，所述压缩器被配置成压缩所述第一指示数据；以及易失性存储器件，所述易失性存储器件被配置成存储压缩的第一指示数据，其中在多个页的第一页中，所述第一目标位的逻辑值等于所述多个阈值电压状态中的目标阈值电压状态的逻辑值。

附图说明