[发明专利]存储器件以及包括该存储器件的存储系统

说明书

提供了一种存储器件以及包括该存储器件的存储系统。该存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元；以及控制逻辑，所述控制逻辑包括模式寄存器，响应于刷新命令执行刷新操作，在第一模式下响应于所述刷新命令生成内部模式寄存器写入命令，在第二模式下响应于所述刷新命令不生成所述内部模式寄存器写入命令。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年11月9日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2021-0153249和于2021年12月21日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2021-0184027的优先权，每一个韩国专利申请的公开内容通过引用整体地并入本文。

技术领域

实施例涉及一种存储器件以及包括该存储器件的存储系统。

背景技术

在诸如动态随机存取存储器(DRAM)的易失性存储器件中，存储在存储单元中的单元电荷可能由于泄漏电流而丢失。在单元电荷丢失并且数据损坏之前，应当用单元电荷对存储单元再充电。用单元电荷对存储单元再充电的操作被称为刷新操作。重复地执行这样的刷新操作以避免单元电荷的丢失。

发明内容

根据实施例，一种存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元；以及控制逻辑，所述控制逻辑包括模式寄存器，响应于刷新命令执行刷新操作，在第一模式下响应于所述刷新命令生成内部模式寄存器写入命令，在第二模式下响应于所述刷新命令不生成所述内部模式寄存器写入命令。

根据实施例，一种存储系统包括：存储器控制器，所述存储器控制器被配置为生成刷新命令；以及存储器件，所述存储器件包括存储单元阵列和控制逻辑，所述存储单元阵列包括多个存储单元，所述控制逻辑包括模式寄存器并且被配置为响应于所述刷新命令执行刷新操作，其中所述存储器件将要被执行所述刷新操作的存储体(bank)地址和行地址存储在所述模式寄存器中或者将所述存储体地址和所述行地址输出到所述存储器控制器。

根据实施例，一种存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元；以及控制逻辑，所述控制逻辑包括模式寄存器，其中：所述控制逻辑在通过接收第一刷新命令来执行第一刷新操作的时段的至少一部分中响应于模式寄存器读取命令输出第一存储体地址和第一行地址，并且在通过接收第二刷新命令来执行第二刷新操作的时段的至少一部分中响应于所述模式寄存器读取命令输出第二存储体地址和第二行地址；所述第二存储体地址与所述第一存储体地址不同；并且所述第二行地址与所述第一行地址不同。

附图说明

通过参考附图详细地描述示例实施例，特征对本领域的技术人员而言将是显而易见的，在附图中：

图1是用于描述根据一些示例实施例的存储系统的框图；

图2是用于描述图1的存储器件的框图；

图3是用于描述根据一些示例实施例的存储器件的操作的图；

图4是用于描述模式寄存器的示例图；

图5是用于描述模式寄存器的示例图；

图6是用于描述根据一些示例实施例的存储器件的操作的图；

图7是用于描述模式寄存器的示例图；

图8是用于描述模式寄存器的示例图；

图9是用于描述根据一些示例实施例的存储器件的操作的图；

图10是用于描述根据一些示例实施例的存储器件的操作的图；

图11是用于描述根据一些示例实施例的存储系统的框图；

图12是用于描述图11的存储器件的操作的图；

图13是用于描述根据一些示例实施例的存储模块的图；