[发明专利]存储器件以及包括该存储器件的存储系统

权利要求书

1.一种存储器件，所述存储器件包括：

存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元；以及

控制逻辑，所述控制逻辑包括模式寄存器，响应于刷新命令执行刷新操作，在第一模式下响应于所述刷新命令生成内部模式寄存器写入命令，并且在第二模式下响应于所述刷新命令不生成所述内部模式寄存器写入命令。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，在所述第一模式下，所述控制逻辑响应于所述内部模式寄存器写入命令，将要被执行所述刷新操作的存储体地址和行地址写入到所述模式寄存器。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中：

所述内部模式寄存器写入命令包括第一内部模式寄存器写入命令和第二内部模式寄存器写入命令；

所述模式寄存器包括第一模式寄存器和第二模式寄存器；并且

所述控制逻辑响应于所述第一内部模式寄存器写入命令将所述存储体地址写入到所述第一模式寄存器，并且响应于所述第二内部模式寄存器写入命令将所述行地址写入到所述第二模式寄存器。

4.根据权利要求3所述的存储器件，其中所述控制逻辑先生成所述第一内部模式寄存器写入命令，然后生成所述第二内部模式寄存器写入命令。

5.根据权利要求3所述的存储器件，其中所述控制逻辑先生成所述第二内部模式寄存器写入命令，然后生成所述第一内部模式寄存器写入命令。

6.根据权利要求3所述的存储器件，其中所述第一模式寄存器和所述第二模式寄存器是连续的。

7.根据权利要求3所述的存储器件，其中所述第一模式寄存器和所述第二模式寄存器是不连续的。

8.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述控制逻辑响应于模式寄存器写入命令将模式信息写入到所述模式寄存器，并且根据所述模式信息在所述第一模式和所述第二模式中的一者下工作。

9.根据权利要求8所述的存储器件，其中：

所述内部模式寄存器写入命令包括第一内部模式寄存器写入命令和第二内部模式寄存器写入命令；

所述模式寄存器包括第一模式寄存器和第二模式寄存器；并且

所述控制逻辑响应于所述模式寄存器写入命令将所述模式信息写入到所述第一模式寄存器，响应于所述第一内部模式寄存器写入命令将要被执行所述刷新操作的存储体地址写入到所述第一模式寄存器，并且响应于所述第二内部模式寄存器写入命令将要被执行所述刷新操作的行地址写入到所述第二模式寄存器。

10.根据权利要求8所述的存储器件，其中：

所述内部模式寄存器写入命令包括第一内部模式寄存器写入命令和第二内部模式寄存器写入命令；

所述模式寄存器包括第一模式寄存器、第二模式寄存器和第三模式寄存器；并且

所述控制逻辑响应于所述模式寄存器写入命令将所述模式信息写入到所述第一模式寄存器，响应于所述第一内部模式寄存器写入命令将要被执行所述刷新操作的存储体地址写入到所述第二模式寄存器，并且响应于所述第二内部模式寄存器写入命令，将要被执行所述刷新操作的行地址写入到所述第三模式寄存器。

11.一种存储系统，所述存储系统包括：

存储器控制器，所述存储器控制器被配置为生成刷新命令；以及

存储器件，所述存储器件包括存储单元阵列和控制逻辑，所述存储单元阵列包括多个存储单元，所述控制逻辑包括模式寄存器并且被配置为响应于所述刷新命令执行刷新操作，

其中，所述存储器件将要被执行所述刷新操作的存储体地址和行地址存储在所述模式寄存器中，或者将所述存储体地址和所述行地址输出到所述存储器控制器。