[发明专利]波导结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202211307562.1 申请日: 2022-10-24
公开(公告)号: CN115576052A 公开(公告)日: 2023-01-06
发明(设计)人: 王乾;刘恩峰;张彦秀;胡磊;晋孟佳;冯兴甲;郭艳华;邵华;王妍 申请(专利权)人: 北京燕东微电子股份有限公司
主分类号: G02B6/122 分类号: G02B6/122;G02B6/136
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 代理人: 蔡纯;岳丹丹
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 波导 结构 及其 制造 方法
【说明书】:

本申请公开了一种波导结构及其制造方法,以解决现有技术中泄露损耗与弯曲损耗过大的问题。该波导结构包括:衬底;第一支撑层,位于衬底上;芯层,位于第一支撑层上方,光在芯层中传播;第二支撑层,位于第一支撑层上,第二支撑层与第一支撑层邻接的一侧具有空腔;其中,芯层位于空腔中,芯层的部分表面被空腔包裹。芯层通过空腔将原包层介质替换为空气,进而提升了芯层与包层的折射率差值,使得传播光更容易实现全反射,进而降低泄露损耗和弯曲损耗,还可以更进一步减小波导的弯曲半径,从而减小芯片尺寸,提高工艺集成度。该波导结构的制造方法所涉工艺也多为成熟工艺,简单可靠且易于实现,具有很好的实用性。

技术领域

发明涉及光波导技术领域,具体涉及一种波导结构及其制造方法,尤其涉及一种具有空气包层的波导结构及其制造方法。

背景技术

光波导是约束光波传输的媒介。典型的光波导采用光疏介质包覆光密介质的“芯/包”结构。为实现全反射,并兼容半导体薄膜加工工艺,目前多采用SiO2(折射率约为1.45)作为光波导的外包层,使用SiN(折射率约为2.01)、Si(折射率约为3.5)作为光波导的芯层。

但是由于SiO2与SiN的折射率差值较小,故此考虑到传输过程中的泄露损耗(泄露损耗是由于光在波导中传输时会有一部分光散射出去,产生光泄露)与弯曲损耗(弯曲损耗为光在弯曲波导中传输时,由于入射角的变化,造成的光泄露),在设计光波导时,其曲率半径就受到限制。Si与SiO2折射率差异虽较大,但是由于Si材料自身的限制,波导传输损耗很大。

因此在制作材料有限的情况下,找到一种可以同时兼容自身波导损耗、泄露损耗与弯曲损耗的方案是本领域技术人员需要解决的技术问题。

发明内容

鉴于上述问题,本发明的目的在于提供一种波导结构及其制造方法,该波导结构可具有空气包层的同时还能较好的为芯层提供保护。

为实现上述目的,本发明的第一个方面提供一种波导结构,包括:衬底;第一支撑层,位于衬底上;芯层,位于第一支撑层上方,光在芯层中传播;第二支撑层,位于第一支撑层上,第二支撑层与第一支撑层邻接的一侧具有空腔;其中,芯层位于空腔中,芯层的部分表面被空腔包裹。

进一步地,第一支撑层为芯层的下包层。

进一步地,第一支撑层包括至少一个支撑部,芯层的部分下表面与支撑部相连以使芯层悬空。

进一步地,第一支撑层和所述第二支撑层的材料包括二氧化硅,所述芯层的材料包括硅、氮化硅、铌酸锂中的至少一种。

进一步地,芯层包括一个或多个,单个芯层的截面独立的选自凸字形或矩形。

进一步地,该波导结构还包括释放孔,所述释放孔贯穿第二支撑层并与空腔相连。

进一步地,芯层的表面与空腔内壁之间的距离不小于2μm。

进一步地,该波导结构还包括:光栅、光电探测器、调制器中的至少一种,光栅、光电探测器、调制器中的至少部分与芯层位于同一衬底上。

进一步地,该波导结构还包括电连接的第一金属层和第二金属层,第一金属层和第二金属层均位于第二支撑层上,第一金属层为布线层,第二金属层为电极引出端。

本发明的第二个方面是提供一种波导结构的制造方法,包括:在衬底上形成第一支撑层;在第一支撑层上形成芯层;在第一支撑层上形成牺牲层,并对牺牲层进行刻蚀,以保留待形成空腔的部分;在第一支撑层和牺牲层上形成第二支撑层;对第二支撑层进行刻蚀形成释放孔,并通过释放孔去除牺牲层,形成所述空腔。

进一步地,牺牲层的材料包括聚酰亚胺,在第一支撑层上形成牺牲层,并对牺牲层进行刻蚀后,牺牲层包绕芯层的厚度不小于2μm。

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