[发明专利]波导结构及其制造方法

权利要求书

1.一种波导结构，其特征在于，包括：

衬底；

第一支撑层，位于所述衬底上；

芯层，位于所述第一支撑层上方，光在所述芯层中传播；

第二支撑层，位于所述第一支撑层上，所述第二支撑层与所述第一支撑层邻接的一侧具有空腔；

其中，所述芯层位于所述空腔中，所述芯层的部分表面被所述空腔包裹。

2.根据权利要求1所述的波导结构，其特征在于，所述第一支撑层为所述芯层的下包层。

3.根据权利要求1所述的波导结构，其特征在于，所述第一支撑层包括至少一个支撑部，所述芯层的部分下表面与所述支撑部相连以使所述芯层悬空。

4.根据权利要求1-3任一项所述的波导结构，其特征在于，所述第一支撑层和所述第二支撑层的材料包括二氧化硅，所述芯层的材料包括硅、氮化硅、铌酸锂中的至少一种。

5.根据权利要求1-3任一项所述的波导结构，其特征在于，所述芯层包括一个或多个，单个所述芯层的截面独立的选自凸字形或矩形。

6.根据权利要求1-3任一项所述的波导结构，其特征在于，还包括释放孔，所述释放孔贯穿所述第二支撑层并与所述空腔相连。

7.根据权利要求1-3任一项所述的波导结构，其特征在于，所述芯层的表面与所述空腔内壁之间的距离不小于2μm。

8.根据权利要求1-3任一项所述的波导结构，其特征在于，还包括：光栅、光电探测器、调制器中的至少一种，所述光栅、所述光电探测器、所述调制器中的至少部分与所述芯层位于同一衬底上。

9.根据权利要求1-3任一项所述的波导结构，其特征在于，还包括电连接的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层均位于所述第二支撑层上，所述第一金属层为布线层，所述第二金属层为电极引出端。

10.一种波导结构的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成第一支撑层；

在第一支撑层上形成芯层；

在第一支撑层上形成牺牲层，并对牺牲层进行刻蚀，以保留待形成空腔的部分；

在第一支撑层和牺牲层上形成第二支撑层；

对第二支撑层进行刻蚀形成释放孔，并通过释放孔去除牺牲层，形成所述空腔。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括聚酰亚胺；在第一支撑层上形成牺牲层，并对牺牲层进行刻蚀后，所述牺牲层包绕所述芯层的厚度不小于2μm。

12.一种波导结构的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成第一牺牲层；

对第一牺牲层进行刻蚀，以保留待形成下包层的区域；

在衬底上形成第一支撑层；

在第一牺牲层上形成芯层，且所述芯层的端部位于所述第一支撑层上；

在第一牺牲层、芯层和第一支撑层上形成第二牺牲层，并对第二牺牲层进行刻蚀，以保留待形成上包层的区域；

在第二牺牲层和第一支撑层上形成第二支撑层；

对第二支撑层进行刻蚀形成释放孔，并通过释放孔去除第二牺牲层和第一牺牲层，相应形成所述上包层和所述下包层，且所述上包层和所述下包层连通以形成空腔。

13.根据权利要求10或12所述的制造方法，其特征在于，所述第一支撑层和所述第二支撑层的材料包括二氧化硅，所述芯层的材料包括硅、氮化硅、铌酸锂中的至少一种。

14.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述第一牺牲层和所述第二牺牲层的材料包括聚酰亚胺；所述第一牺牲层和所述第二牺牲层的厚度均不小于2μm。