[发明专利]一种氢溴酸依匹斯汀晶型II及其制备方法

权利要求书

1.一种氢溴酸依匹斯汀晶型II，其特征在于：其X射线粉末衍射在2θ值为7.7±0.2⁰、9.6±0.2⁰、14.3±0.2⁰、21.2±0.2⁰、25.5±0.2⁰处有特征峰。

2.如权利要求1所述的晶型II，其特征在于：所述氢溴酸依匹斯汀晶型II在衍射角度2θ为9.6±0.2⁰处的相对峰强度为100％；在衍射角度2θ为7.7±0.2⁰的相对峰强度大于70％小于100％；在衍射角度2θ为21.2±0.2⁰的相对峰强度大于60％小于80％；在衍射角度2θ为25.5±0.2⁰的相对峰强度大于50％小于70％。

3.如权利要求1所述的晶型II，其特征在于：其X射线粉末衍射在2θ角为7.7±0.2⁰、9.6±0.2⁰、12.9±0.2⁰、13.9±0.2⁰、14.3±0.2⁰、15.5±0.2⁰、21.2±0.2⁰、22.5±0.2⁰、25.5±0.2⁰、25.8±0.2⁰、26.9±0.2⁰处具有特征峰。

4.如权利要求1所述的晶型II，其特征在于：其X射线粉末衍射在2θ角为6.8±0.2⁰、7.7±0.2⁰、9.6±0.2⁰、11.9±0.2⁰、12.9±0.2⁰、13.9±0.2⁰、14.3±0.2⁰、15.5±0.2⁰、18.2±0.2⁰、21.2±0.2⁰、22.5±0.2⁰、23.0±0.2⁰、25.3±0.2⁰、25.5±0.2⁰、25.8±0.2⁰、26.9±0.2⁰、27.8±0.2⁰处具有特征峰。

5.如权利要求1-4任一项所述的晶型II，其特征在于：具有如图2所示的XRPD图谱。

6.如权利要求1-5任一项所述氢溴酸依匹斯汀晶型II的制备方法，其特征在于：将氢溴酸依匹斯汀于水中加热溶解后，降温析晶；所述加热溶解的温度为50℃～100℃；所述降温析晶的温度为0℃～40℃；所述析晶的析晶时间为1～5小时。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述溶解温度为80℃～100℃；所述结晶温度为10℃～20℃。

8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述析晶时间为2～3小时。

9.如权利要求1-5任一项所述氢溴酸依匹斯汀晶型II在制备抗过敏性疾病药物中的用途；所述过敏性疾病优选为过敏性鼻炎，荨麻疹，皮炎，湿疹，皮肤瘙痒症，偏头疼，宾-霍顿综合征，紧张性头疼，支气管哮喘，肌肉痛，炎性疼痛，神经痛，银屑病，过敏性结膜炎等疾病的任一种或其组合。

10.一种抗过敏性药物组合物，其特征在于：以权利要求1-5任一项所述氢溴酸依匹斯汀晶型II作为活性成分，添加药学上可接受的辅料制备而成。