[发明专利]一种光模块的金手指高速信号设计方法及系统

权利要求书

1.一种光模块的金手指高速信号设计方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，按照10层2阶叠层结构的OSFP金手指，将第1层、第3层、第8层及第10层设计为差分信号走线层；

S2，对金手指进行SI仿真分析得到最佳阻抗的OSFP金手指出线差分线；

S3，根据SI仿真分析得到差分线GND过孔孔中心间距；

S4，将差分线换层过孔设计在AC焊盘外；

S5，对光模块的金手指阻抗不连续点处理。

2.根据权利要求1所述的光模块的金手指高速信号设计方法，其特征在于，所述S1具体包括：将第2层、第4层、第7层及第9层设计为完整地平面层；

将第5层、第6层设计为电源及其他信号层。

3.根据权利要求1所述的光模块的金手指高速信号设计方法，其特征在于，所述S2具体包括：根据SI和实测验证得到光模块的金手指出线最佳阻抗为95ohm。

4.根据权利要求1所述的光模块的金手指高速信号设计方法，其特征在于，所述S3具体包括：所述差分线GND过孔孔中心间距最佳为0.4mm。

5.根据权利要求1所述的光模块的金手指高速信号设计方法，其特征在于，所述S4具体包括：

过孔孔中间间距到AC焊盘中心间距0.45mm；

换层过孔在孔到的层面都做单边外扩0.2mm的补偿避让；

AC电容做单边外扩0.15mm。

6.根据权利要求5所述的光模块的金手指高速信号设计方法，其特征在于，所述S4还包括：

参考第7层GND，将第8层～第10层的过孔进行外扩以做避让补偿；

参考L4层GND，将第1层～第3层的过孔进行外扩以做避让补偿。

7.根据权利要求1所述的光模块的金手指高速信号设计方法，其特征在于，所述S5具体包括：

金手指出线补泪滴，泪滴与手指等宽；

金手指上GND网络设计通孔地；

金手指TOP层下方的第2层～第4层的离手指根部0.2mm全挖空，参考第5层，且第5层不挖；

金手指BOT层下方第7层～第9层的离手指根部0.2mm全挖空，参考第6层，且第6层不挖。

8.一种光模块的金手指高速信号设计系统，其特征在于，所述系统用于实现如权利要求1-7任一项所述的光模块的金手指高速信号设计方法，包括：

建模模块，用于按照10层2阶叠层结构的OSFP金手指，将第1层、第3层、第8层及第10层设计为差分信号走线层；

阻抗设计模块，用于对金手指进行SI仿真分析得到最佳阻抗的OSFP金手指出线差分线；

GND过孔间距设计模块，用于根据SI仿真分析得到差分线GND过孔孔中心间距；

换层过孔设计模块，用于将差分线换层过孔设计在AC焊盘外；

不连续点处理模块，用于对光模块的金手指阻抗不连续点处理。

9.一种电子设备，其特征在于，包括存储器、处理器，所述处理器用于执行存储器中存储的计算机管理类程序时实现如权利要求1-7任一项所述的光模块的金手指高速信号设计方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，其上存储有计算机管理类程序，所述计算机管理类程序被处理器执行时实现如权利要求1-7任一项所述的光模块的金手指高速信号设计方法的步骤。