[发明专利]一种光刻机用圆晶片的涂胶装置

说明书

本发明涉及晶圆加工设备领域，具体是涉及一种光刻机用圆晶片的涂胶装置，包括外筒、内筒、锥筒、旋转筒、伸缩筒、吸盘、顶升执行单元和旋转执行单元，内筒设在外筒内，锥筒同轴转动的设置在外筒和内筒之间，锥筒的内锥面自外筒的顶端延伸至内筒的顶端，旋转筒同轴转动的设在内筒中，伸缩筒沿轴向滑动设置在旋转筒中，吸盘同轴设置在旋转筒的顶端，顶升执行单元设置在内筒的底部，旋转执行单元设置在外筒外，本申请通过锥筒对放置其内锥面的晶圆片进行旋转，待锥筒停止转动时，晶圆片能够同轴位于锥筒的内锥面中，使得吸盘顶升并吸附晶圆片，从而使得与旋转筒同轴的晶圆片落在吸盘的顶端，晶圆片能够同轴转动并使得涂覆胶分布均匀。

技术领域

本发明涉及晶圆加工设备领域，具体是涉及一种光刻机用圆晶片的涂胶装置。

背景技术

光刻工艺总共包括晶片匀胶即涂覆胶层、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等步骤，其中，匀胶是为了使分布于晶片上的光刻胶分布均匀并能达到一定厚度，以便曝光时晶片表面的光刻胶都能得到适当的感光；其中在匀胶时通常都是采用电机带动吸附在真空吸盘上的晶片旋转，从而在离心力的作用下使胶均匀分布在晶圆片上，胶膜涂敷厚度可根据电机旋转轴的速度来进行控制。但是由于晶圆片放置在吸盘上可能不是处于同轴状态，会导致电机带动晶圆片偏心旋转，会使涂覆胶分布不均匀，导致晶片上的胶层的厚度不一，从而大大影响后续的光刻工艺。

中国专利CN202110823496.2公开了一种半导体晶圆表面处理装置，包括：主框架、输送机构以及表面处理机构。输送机构用于输送晶圆，包括一对输送轨道和调节机构，调节机构用于调节输送轨道的间距。表面处理机构包括承载部件和执行部件。承载部件设于输送机构下方，承载部件包括容纳桶和承载板，承载板垂直于输送轨道移动设置，还可绕轴线旋转。执行部件设于输送机构上方，执行部件包括密封盖用于密封容纳桶的顶部，密封盖顶面设有直线移动机构，直线移动机构的活动块设有喷嘴用于喷涂胶液，密封盖开设有条形孔用于穿过喷嘴，喷嘴的出液口位于密封盖的下方，密封盖沿垂直于承载板的方向移动设置。具有较高的表变处理效率，可避免损坏晶圆表面，可避免胶液溅出，便于设备清洁。

该表面处理装置无法确保晶圆片能够被同轴吸附在吸盘的顶端。

发明内容

基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种光刻机用圆晶片的涂胶装置。

为解决现有技术问题，本发明采用的技术方案为：

一种光刻机用圆晶片的涂胶装置，包括外筒、内筒、锥筒、旋转筒、伸缩筒、吸盘、顶升执行单元和旋转执行单元，内筒同轴设置在外筒的内部，外筒的顶端高于内筒的顶端，锥筒同轴转动的设置在外筒和内筒之间，锥筒的内锥面自外筒的顶端延伸至内筒的顶端，旋转筒同轴转动的设置在内筒中，伸缩筒沿轴向滑动设置在旋转筒中，吸盘同轴设置在旋转筒的顶端，且其吸附端竖直朝上，顶升执行单元设置在内筒的底部用以沿竖直方向顶升伸缩筒，旋转执行单元设置在外筒外用以驱动锥筒和旋转筒旋转。

优选地，锥筒的内锥面的底端低于内筒的顶端，且锥筒内锥面底端的直径小于内筒的外径。

优选地，外筒的内周和内筒的外周之间还设有倾斜向下的引流板，外筒上还设置有位于引流板低端外侧的出胶口。

优选地，还包括转动圈和磁块，转动圈同轴转动的设置在外筒的内周，转动圈位于锥筒的底部，转动圈的内圆周面沿轴向设置有沿其径向延伸的扇片，磁块沿周向固定设置在旋转筒的外圆周面，且磁块与扇片处于同一高度，磁块为亲磁性材质。

优选地，还包括连杆和拉簧，连杆沿周向布置在吸盘的底部，连杆的一端通过销轴与吸盘的底端转动连接，销轴的轴线竖直，连杆的另一端具有可沿径向贴合锥筒内锥面的刮面，拉簧的一端与销轴连接，拉簧的另一端与另一个连杆的内侧连接。

优选地，旋转筒的外周沿周向设置有沿其轴向延伸的齿条，伸缩筒的内周沿周向设置有沿其轴向延伸的齿槽，齿条和齿槽嵌合滑动配合。