[发明专利]一种基于深度迁移学习预测卟啉MOF带隙的方法在审
申请号: | 202211268334.8 | 申请日: | 2022-10-17 |
公开(公告)号: | CN115565620A | 公开(公告)日: | 2023-01-03 |
发明(设计)人: | 佘远斌;张智慧;张丞玮;苏安 | 申请(专利权)人: | 浙江工业大学 |
主分类号: | G16C20/30 | 分类号: | G16C20/30;G16C20/70;G16C20/90;G06N3/04;G06N3/08 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 林超 |
地址: | 310014 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 深度 迁移 学习 预测 卟啉 mof 方法 | ||
1.一种基于深度迁移学习预测卟啉MOF带隙的方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)从剑桥晶体结构数据库中收集多个卟啉基MOF材料,对多个卟啉基MOF材料的原始晶体学信息文件进行结构优化并计算出对应的带隙,获得多个卟啉基MOF材料对应的优化晶体学信息文件以及带隙,由多个卟啉基MOF材料的优化晶体学信息文件和对应的带隙构成初始卟啉MOF数据集;
2)从QMOF数据库中筛选出多个与卟啉MOF相似度高的MOF样本并组成扩充MOF数据集,扩充MOF数据集与初始卟啉MOF数据集进行融合,获得融合卟啉MOF数据集,将筛选掉扩充MOF数据集的QMOF数据库记为筛选后的QMOF数据库;
3)利用筛选后的QMOF数据库对深度学习模型进行预训练,得到预训练模型;
4)根据融合卟啉MOF数据集,利用迁移学习方法对预训练模型进行微调,获得卟啉MOF带隙预测模型;
5)将待预测的卟啉基MOF材料对应的优化晶体学信息文件输入卟啉MOF带隙预测模型中,获得待预测的卟啉基MOF材料的带隙。
2.根据权利要求1所述的一种基于深度迁移学习预测卟啉MOF带隙的方法,其特征在于,所述1)中,多次改变各个卟啉基MOF材料的卟啉中心金属,获得对应的多个新的卟啉基MOF材料,由多个新的卟啉基MOF材料的优化晶体学信息文件和对应的带隙与收集的多个卟啉基MOF材料的优化晶体学信息文件和对应的带隙一起构成初始卟啉MOF数据集。
3.根据权利要求1所述的一种基于深度迁移学习预测卟啉MOF带隙的方法,其特征在于,所述2)中,利用原子位置平均平滑重叠核方法计算QMOF数据库中每个MOF样本与初始卟啉MOF数据集中每个卟啉基MOF材料之间的全局相似性,对QMOF数据库中每个MOF样本与初始卟啉MOF数据集中各个卟啉基MOF材料之间的全局相似性进行求和平均,获得QMOF数据库中各个MOF样本的平均相似性,按平均相似性降序依次选择多个QMOF数据库中的MOF样本并组成扩充MOF数据集。
4.根据权利要求1所述的一种基于深度迁移学习预测卟啉MOF带隙的方法,其特征在于,所述3)中,深度学习模型为图卷积神经网络GCN。
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