[发明专利]掺镱光纤预制棒及其制备方法、高吸收系数掺镱光纤

权利要求书

1.一种掺镱光纤预制棒，其特征在于：

光纤预制棒由内向外依次为芯层(1)、第一包层(2)、第二包层(3)和第三包层(4)；

所述芯层(1)由以下组分组成：

AlPO₄：1.13-3.98mol％，

Al₂O₃：1.02-2.06mol％，

Yb₂O₃：0.31-0.45mol％，

F：1.22-2.48mol％，

SiO₂：91.03-96.32mol％；

所述第二包层(3)由以下组分组成：

F：0.52-2.86mol％，

SiO₂：97.14-99.48mol％；

所述第一包层(2)和第三包层(4)均为SiO₂。

2.根据权利要求1所述的掺镱光纤预制棒，其特征在于：

所述芯层(1)由以下组分组成：

AlPO₄：1.13-3.93mol％，

Al₂O₃：1.02-1.11mol％，

Yb₂O₃：0.31-0.38mol％，

F：1.22-1.48mol％，

SiO₂：93.17-96.32mol％；

所述第二包层(3)由以下组分组成：：

F：0.52-1.96mol％，

SiO₂：98.04-99.48mol％。

3.根据权利要求1所述的掺镱光纤预制棒，其特征在于：

所述芯层(1)由以下组分组成：

AlPO₄：3.93mol％，

Al₂O₃：1.04mol％，

Yb₂O₃：0.38mol％，

F：1.48mol％，

SiO₂：93.17mol％；

所述第二包层(3)由以下组分组成：：

F：1.96mol％，

SiO₂：98.04mol％。

4.一种权利要求1-3任一所述的掺镱光纤预制棒的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.根据需要的光纤各组分含量反算各原材料的载气流量；

S2.沉积第二包层(3)

所述沉积第二包层(3)的原料为SiCl₄和SiF₄，沉积层数为10-15层；

S3.沉积第一包层(2)

所述沉积第一包层(2)的原料为SiCl₄，沉积层数为30-40层；

S4.沉积芯层(1)

所述沉积芯层(1)的原料为POCl₃、AlCl₃、Yb(thd)₃、SiF₄以及SiCl₄，沉积层数为10-15层；

S5.进行缩管，获得光纤预制棒；

S6.对光纤预制棒参数进行测试，是否达到S1中所述需要的光纤各组分含量，当达到时，则获得的是符合要求的光纤预制棒；当未达到时，则调整载气流量并返回S2重新制备光纤预制棒，直至最终获取与S1中所述需要的光纤各组分含量一致的光纤预制棒。

5.根据权利要求4所述的掺镱光纤预制棒的制备方法，其特征在于：

S2、S3和S4中，所述原料通过载气运输至沉积管，在高温下反应并沉积。

6.根据权利要求4或5所述的掺镱光纤预制棒的制备方法，其特征在于：

S4中，所述芯层(1)的沉积温度为1880-1950℃；

S3中，第一包层(2)的沉积温度为1850-1950℃；

S2中，第二包层(3)的沉积温度为1850-1900℃。