[发明专利]一种DPT功率器件结构

权利要求书

1.一种DPT功率器件结构，包括背面金属层(1)，其特征在于：所述背面金属层(1)的上部设有衬底层(2)，所述衬底层(2)上设有外延层(3)，所述外延层(3)上开设有若干深槽(4)，若干所述深槽(4)的内壁上设有氧化层(5)，所述深槽(4)之间的所述衬底(2)上开设有浅槽(7)，所述浅槽(7)的内壁上也设有氧化层(5)，所述外延(3)的顶端设置有P-区域(6)，所述P-区域(6)的上端设有TiSi化合物层(8)，所述TiSi化合物层(8)上设有顶部金属层(9)。

2.根据权利要求1所述的一种DPT功率器件结构，其特征在于：所述深槽(4)和所述浅槽(7)的内部填充有多晶硅(10)，若干所述深槽(4)的刻蚀深度相同，所述多晶硅(10)填充高度低于或者高于所述深槽(4)的深度。

3.根据权利要求1所述的一种DPT功率器件结构，其特征在于：所述P-区域(6)注入形成在所述衬底层(2)的上端，所述深槽(4)和所述浅槽(7)通过刻蚀形成沟槽。

4.根据权利要求2所述的一种DPT功率器件结构，其特征在于：所述TiSi化合物层(8)是所述深槽(4)和所述浅槽(7)的顶部侧壁开出小口，填入Ti+TiN金属，其中TiN作为Ti和顶部金属的缓冲层次，Ti金属在经过热过程退火后，与相接触的硅或多晶硅反应形成所述TiSi化合物层(8)。

5.根据权利要求1所述的一种DPT功率器件结构，其特征在于：所述P-区域(6)的上端均设有介质层(11)，所述介质层(11)处于所述TiSi化合物层(8)和所述P-区域(6)之间，所述介质层(11)处于所述浅槽(7)的上端，所述介质层(11)与Ti+TiN金属不反应生成所述TiSi化合物层(8)。

6.根据权利要求1所述的一种DPT功率器件结构，其特征在于：所述深槽(4)的深度大于所述浅槽(7)的深度，所述深槽(4)的深度为3um-10um，所述浅槽(7)的深度为0.5um-3um，所述深槽(4)的宽度大于所述浅槽(7)的宽度，所述深槽(4)的宽度为0.5um-1.5um，所述浅槽(7)的宽度为0.1um-1um，相邻两个所述深槽(4)之间的间隔距离为0.5um-2um，所述浅槽(7)处相邻两个所述深槽(4)之间，所述深槽(4)内的厚氧化层厚度为0.1um-1um，所述浅槽(7)内的侧壁栅氧化层厚度为0.01um-0.1um。

7.根据权利要求6所述的一种DPT功率器件结构，其特征在于：所述P-区域(6)的深度不超过所述浅槽(7)的深度，所述P-区域(6)注入的原料为P型杂质，且能量30kev-300kev，剂量1E11-1E15，所述P-区域(6)的热过程条件为温度900C-1250C，时间0.5min-180min。

8.根据权利要求4所述的一种DPT功率器件结构，其特征在于：所述TiN化合物层在进行填充时的厚度为0.02um-0.1um，所述Ti金属在进行填充时的厚度为0.02um-0.2um，所述Ti金属的退火温度为600C-900C，使得Ti金属与相接触的硅或多晶硅反应形成所述TiSi化合物层(8)。

9.根据权利要求5所述的一种DPT功率器件结构，其特征在于：所述介质层(11)的厚度为0.3um-1um，所述外延层(3)的电阻率为0.05-1ohm，且厚度3um-16um。

10.根据权利要求1所述的一种DPT功率器件结构，其特征在于：所述顶部金属层(9)的厚度为1um-8um，所述背面金属层(1)的厚度为0.5um-2um，并且处理后的最终器件厚度为50um-300um。