[发明专利]一种多补多排生产多晶硅和硅烷偶联剂的方法

权利要求书

1.一种多补多排生产多晶硅和硅烷偶联剂的方法，包括步骤：

(1)粗提纯：加装三氯氢硅生产装置，将生产的多补三氯氢硅与原料粗氯硅烷通入粗分塔中进行粗提纯，得到三氯氢硅1；

(2)精馏提纯：三氯氢硅1通入精馏塔中提纯，得到高纯三氯氢硅2和含杂质的三氯氢硅3；

(3)生产多晶硅：高纯三氯氢硅2通入还原炉中反应，生产多晶硅；

(4)高低沸塔提纯：含杂质的三氯氢硅3通入高低沸塔中提纯，得到三氯氢硅4和含杂质的三氯氢硅5；

(5)三氯氢硅4回到精馏塔提纯，得到高纯三氯氢硅2，重复步骤(3)生产多晶硅；

(6)生产硅烷偶联剂：含杂质的三氯氢硅5多排出系统，生产硅烷偶联剂。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述多补三氯氢硅与原料粗氯硅烷的质量比为1-10:100，多补三氯氢硅的流速为0.5-5t/h，原料粗氯硅烷的流速为30-50t/h。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述粗提纯具体为：粗分塔进料预热器65-105℃，塔釜再沸器130-140℃，塔顶冷凝器40-70℃，工作压力0.2-0.4Mpa。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述精馏提纯具体为：采用精馏塔对单组份的三氯氢硅反复脱出，三氯氢硅1通入精馏塔中的流速为40-50t/h，精馏塔进料预热器65-105℃，塔釜再沸器130-140℃，塔顶冷凝器40-70℃，工作压力0.2-0.4Mpa，提纯完三氯氢硅占比99％；所述精馏塔为3-8级精馏塔。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(3)中，所述生产多晶硅具体为：高纯三氯氢硅2以110-130t/h的流速通入还原炉中，还原炉反应的温度为1080-1100℃，反应时长70-90h，压强为4-5bar，通入氢气，氢气的通入流速为5-6t/h，高纯三氯氢硅2与氢气的摩尔比为4-5：1，还原炉的规格为40对棒还原炉。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(4)中，所述高低沸塔提纯具体为：含杂质的三氯氢硅3以0.5-5t/h的流速通入高低沸塔中，塔釜再沸器130-140℃，塔顶冷凝器40-70℃，工作压力0.2-0.4Mpa。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(6)中，所述生产硅烷偶联剂具体为：

含杂质的三氯氢硅5以流速0.6-2t/h排出系统，进入硅烷偶联剂生产装置，生产硅烷偶联剂的步骤为：用多排的三氯氢硅和乙炔加成反应去产硅烷偶联剂单体，后续再通过甲醇脂化生产硅烷偶联剂。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(4)中，含杂质的三氯氢硅3通入高低沸塔中提纯后，还得到高废三氯氢硅，用于废液外卖或/和渣浆水解。

9.权利要求1-8任一项所述的方法制备得到的多晶硅、硅烷偶联剂。

10.权利要求1-8任一项所述的方法在制备多晶硅和/或硅烷偶联剂中的应用。