[发明专利]一种晶片圆心校正方法在审
| 申请号: | 202211243781.8 | 申请日: | 2022-10-12 |
| 公开(公告)号: | CN115311281A | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
| 发明(设计)人: | 郑传凤 | 申请(专利权)人: | 南通迪博西电子有限公司 |
| 主分类号: | G06T7/00 | 分类号: | G06T7/00;G06T7/11;G06T7/12;G06T7/13;G06T7/73;G06T5/00 |
| 代理公司: | 广州海藻专利代理事务所(普通合伙) 44386 | 代理人: | 郑凤姣 |
| 地址: | 226000 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 晶片 圆心 校正 方法 | ||
本发明涉及一种晶片圆心校正方法,属于图像数据识别技术领域,该方法步骤包括:获取待测晶片图像中多段圆弧边缘;根据每段圆弧边缘中每个边缘像素点的邻域链码,选取出部分误差像素点;利用每个部分误差像素点所在圆弧边缘的误差程度、所在圆弧边缘的前进角度值以及每个部分误差像素点出现误差位置概率,计算出每个部分误差像素点的误差程度,选取出误差程度小于误差程度阈值的部分误差像素点组成目标像素点集合,对目标像素点集合进行霍夫圆检测得到晶片圆心;本发明筛选出低误差程度的像素点进行霍夫圆检测,在减少冗余计算的同时提高了霍夫圆检测的准确性,并能准确的获取晶片圆心位置。
技术领域
本发明属于图像数据识别技术领域,具体涉及一种晶片圆心校正方法。
背景技术
半导体芯片是由硅生产出来的,硅属于半导体材料,其自身的导电性并不是很好,但是可以通过添加适当的掺杂剂来精确控制硅的电阻率,在制造半导体前,必须将硅转换为晶圆片,在晶圆片上刻蚀出数以百万计的晶体管,晶圆片也叫做晶片,在对晶片加工时每个工序都需要根据晶片圆心的位置对晶片位置进行校正,在校正后才开始加工保证加工位置的准确性,而校正的前提是必须准确的获取晶片圆心的位置。
要确定出晶片的圆心,需要先对晶片图像进行圆形检测时,有些情况下圆并不是闭合区域,此时用半径、圆心的方式并不能准确检测到圆,只能用霍夫变换来进行共圆检测;霍夫曼进行共圆检测的基本思路是认为图像上每一个非零像素点都有可能是一个潜在的圆上的一点,跟霍夫线变换一样,也是通过投票,生成累积坐标平面,设置一个累积权重来定位圆;但是现有技术中在进行霍夫圆检测时,是将圆周上的像素点全部代入计算,将全部像素点都代入计算会导致将误差大的点代入计算后造成霍夫检测出现误差,而如果将全部有误差的像素点都去除,只将正常像素点代入计算会造成代入计算的像素点数量较少,也会造成误差;那么如何在容错区间内筛选出低误差的像素点,在保证不将误差大的像素点代入计算的同时还能保证代入霍夫检测的像素点数量满足要求,是进行霍夫圆检测是需要解决的技术问题。
发明内容
本发明提供一种晶片圆心校正方法,根据待测晶片图像中每段圆弧边缘上像素点的位置特征,计算出对每个像素点进行圆形检测误差程度,筛选出低误差程度的像素点进行霍夫圆检测,在减少冗余计算的同时能提高霍夫圆检测的准确性,实现了准确的获取晶片圆心位置。
本发明的一种晶片圆心校正方法采用如下技术方案:
获取待测晶片图像中多段圆弧边缘;
获取每段圆弧边缘中每个边缘像素点的邻域链码,将邻域链码中没有出现预设误差位置的边缘像素点作为正常像素点,将邻域链码中出现预设误差位置的边缘像素点作为非正常像素点;
根据每个非正常像素点与其邻域像素点的位置关系,将非正常像素点分为完全误差像素点和部分误差像素点;
根据每个部分误差像素点邻域链码的码源总个数和邻域链码中出现预设误差位置的码源个数,计算出每个部分误差像素点出现误差位置概率;
利用每段圆弧边缘中包含的正常像素点个数和部分误差像素点个数,计算出每段圆弧边缘的误差程度;
建立极坐标系,将每段圆弧边缘的起始点和终止点在极坐标系中的极角差值,作为每段圆弧边缘的前进角度值;
利用每个部分误差像素点所在圆弧边缘的误差程度、所在圆弧边缘的前进角度值以及每个部分误差像素点出现误差位置概率,计算出每个部分误差像素点的误差程度;
根据所有部分误差像素点出现误差位置概率计算出误差程度阈值,选取出误差程度小于误差程度阈值的部分误差像素点与正常像素点共同组成每段圆弧边缘的目标像素点集合;
利用待测晶片图像中每段圆弧边缘的目标像素点集合,对该待测晶片图像进行霍夫圆检测获取晶片圆心位置。
进一步地,所述根据每个非正常像素点与其邻域像素点的位置关系,将非正常像素点分为完全误差像素点和部分误差像素点的步骤包括:
获取每个非正常像素点的邻域链码;
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