[发明专利]三维霍尔传感器结构及制备方法

权利要求书

1.一种三维霍尔传感器结构，其特征在于，包括：

一复合半导体结构，所述复合半导体结构上形成有2N个两两相对设置的霍尔器件，N≥2；

所述2N个霍尔器件于所述复合半导体结构的底面上的投影分布成一预设的对称关系。

2.如权利要求1所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，所述预设的对称关系包括：

2N个霍尔器件于所述复合半导体结构的底面上的投影分布关于所述复合半导体结构的底面形状的中心对称；或者

2N个霍尔器件于所述复合半导体结构的底面上的投影的中心之间不交叉的连线围成的闭合图形为中心对称图形；或者

2N个霍尔器件中每一个霍尔器件于所述复合半导体结构的底面上的投影均关于所述复合半导体结构的底面形状的至少一条对称轴与2N个霍尔器件中另一个霍尔器件于所述复合半导体结构的底面上的投影对称；或者

2N个霍尔器件中至少一个霍尔器件于所述复合半导体结构的底面上的投影均关于所述复合半导体结构的底面形状的至少一条对称轴与2N个霍尔器件中另一个霍尔器件于所述复合半导体结构的底面上的投影对称。

3.如权利要求2所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，所述复合半导体结构的底面形状的每两条相对的边关于所述复合半导体结构底面的中心对称。

4.如权利要求3所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，所述复合半导体结构的底面形状为矩形。

5.如权利要求4所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，所述复合半导体结构的底面形状为正方形。

6.如权利要求2所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，每个所述霍尔器件靠近所述复合半导体结构的底面形状的边设置。

7.如权利要求6所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，每个所述霍尔器件包括激励电极组及检测电极组，所述激励电极组中激励电极的连线与所述检测电极组中检测电极的连线相互正交。

8.如权利要求7所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，每个所述霍尔器件的所述激励电极组中激励电极的连线与所属的所述霍尔器件靠近的所述复合半导体结构的底面形状的边正交。

9.如权利要求7所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，每个所述霍尔器件的所述激励电极组中激励电极的连线与所属的所述霍尔器件靠近的所述复合半导体结构的底面形状的边的中点正交。

10.如权利要求7所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，相对的一组霍尔器件的激励电流方向相反；和/或

相对的一组霍尔器件的检测方向相反。

11.如权利要求1所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，所述复合半导体结构包括：

一基底；

一粘附层，所述粘附层覆盖所述基底的上表面；

一功能层，所述功能层位于所述粘附层上，并使所述功能层两侧的粘附层暴露；

一金属电极层，设置于所述功能层四周金属电极对应的位置，所述金属电极层覆盖所述功能层四周的所述粘附层的上表面的部分，以及覆盖所述功能层靠近所述金属电极层的上表面的部分；

一钝化结构，覆盖所述金属电极层的上表面及背向所述功能层的外侧表面，所述功能层暴露的上表面以及所述粘附层暴露的上表面。

12.如权利要求11所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，还包括金属引线层，所述金属引线层与所述金属电极层一体形成，并配置成与对应的所述电极层的预定位置连接。