[发明专利]一种太阳能叠层电池、电池组件和光伏系统在审
申请号: | 202211232164.8 | 申请日: | 2022-10-10 |
公开(公告)号: | CN115602692A | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
发明(设计)人: | 王皓正;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/142 | 分类号: | H01L27/142;H10K30/50 |
代理公司: | 北京市天元律师事务所 16010 | 代理人: | 夏智海 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能 电池 组件 系统 | ||
本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种太阳能叠层电池、电池组件和光伏系统。太阳能叠层电池包括依次层叠的第一电池、复合层和第二电池,第一电池包括依次层叠的玻璃基底、导电层、第一传输层、第一吸光层和第二传输层;第二电池包括沿从第一电池至复合层的方向依次层叠的第三传输层、第二吸光层、第四传输层和电极;第一吸光层包括第一区域和第二区域,第一区域设有钙钛矿吸光块,第二区域设有有机吸光块。如此,可以通过有机吸光块调整第一电池的带隙,选择性地对光线进行吸收和透射,使得第二电池充分吸收从第一电池透射的太阳光,有利于提高太阳能叠层电池整体的光电转换效率。
技术领域
本申请属于太阳能电池技术领域,尤其涉及一种太阳能叠层电池、电池组件和光伏系统。
背景技术
太阳能电池发电为一种可持续的清洁能源来源,其利用半导体p-n结的光生伏特效应可以将太阳光转化成电能。
相关技术中通常将两个子电池层叠为叠层电池。然而,两种子电池中的一个为顶电池,另一个为底电池,对直接入射的太阳光的接收天然存在差异。而且,除了太阳光直接入射外,从一个子电池透射的太阳光也可入射至另一个子电池,而子电池通常难以大量透射太阳光,或者,子电池难以吸收从另一个子电池透射的太阳光。这些都严重影响叠层电池整体的光电转换效率。
基于此,如何提高叠层电池的整体的光电转换效率,成为了亟待解决的问题。
发明内容
本申请提供一种太阳能叠层电池、电池组件和光伏系统,旨在解决如何提高叠层电池的整体的光电转换效率的问题。
本申请提供的太阳能叠层电池包括依次层叠的第一电池、复合层和第二电池,所述第一电池包括依次层叠的玻璃基底、导电层、第一传输层、第一吸光层和第二传输层;所述第二电池包括沿从所述第一电池至所述复合层的方向依次层叠的第三传输层、第二吸光层、第四传输层和电极;所述第一吸光层包括第一区域和第二区域,所述第一区域设有钙钛矿吸光块,所述第二区域设有有机吸光块。
可选地,所述钙钛矿吸光块的数量为一个,所述有机吸光块的数量为多个,多个所述有机吸光块被一个所述钙钛矿吸光块间隔。
可选地,所述有机吸光块在所述玻璃基底的投影呈圆形。
可选地,每个所述有机吸光块包括对应层叠的给体层和受体层,对于一个所述有机吸光块:
所述给体层为PTB7-Th层,所述受体层为IEICO-4F层;
或,所述给体层为PTB7-Th层,所述受体层为Y6层;
或,所述给体层为PM6层,所述受体层为Y7层;
或,所述给体层为PM6层,所述受体层为Y6层。
可选地,所述有机吸光块的厚度为80nm-500nm。
可选地,所述钙钛矿吸光块的厚度为300nm-600nm。
可选地,所述复合层的厚度为10nm-40nm。
可选地,所述电极的厚度为10nm-30nm。
可选地,所述有机吸光块包括受体层和对应的给体层,所述受体层的材料的吸收边为700nm-1200nm。
本申请提供的电池组件,包括上述任一项的太阳能叠层电池。
本申请提供的光伏系统,包括上述的电池组件。
本申请实施例的太阳能叠层电池、电池组件和光伏系统,由于第一吸光层包括钙钛矿吸光块和有机吸光块,故可以通过不同的吸光块对光线进行不同的吸收和透射,使得第二电池充分吸收从第一电池透射的太阳光,使得第一电池和第二电池的光生电流更加匹配,有利于提高太阳能叠层电池整体的光电转换效率。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的