[发明专利]光电陶瓷外壳侧壁通腔制备方法

权利要求书

1.一种光电陶瓷外壳侧壁通腔制备方法，其特征在于，所述方法包括：

根据光电陶瓷外壳的侧壁通腔(1)的Z向高度及陶瓷Z向的生瓷收缩系数，确定需要的生瓷料片的总厚度，即生瓷料片的Z向尺寸；

根据获得的所述生瓷料片的Z向尺寸，对所述生瓷料片进行分层，获得多个生瓷片；

确定侧壁通腔所在的层数，并在所述侧壁通腔(1)所在层数冲制矩形孔；

将分层的生瓷片定位层叠，再进行层压成型、热切、烧结，获得具有侧壁通腔的陶瓷外壳。

2.如权利要求1所述的光电陶瓷外壳侧壁通腔制备方法，其特征在于，对定位层叠的生瓷片层压之前，在侧壁通腔内填充支撑物，层压完成后，将支撑物取出。

3.如权利要求2所述的光电陶瓷外壳侧壁通腔制备方法，其特征在于，所述支撑物为具有一定刚度的弹性体。

4.如权利要求3所述的光电陶瓷外壳侧壁通腔制备方法，其特征在于，所述一定刚度的弹性体包括橡胶体以及嵌于所述橡胶体内的刚性嵌件，所述刚性嵌件在Z向的高度不超过所述侧壁通腔(1)的Z向高度；其中，所述橡胶体包裹所述刚性嵌件。

5.如权利要求1所述的光电陶瓷外壳侧壁通腔制备方法，其特征在于，陶瓷Z向的生瓷收缩系数为0.72。

6.如权利要求1所述的光电陶瓷外壳侧壁通腔制备方法，其特征在于，所述侧壁通腔(1)的尺寸公差为±0.05mm。

7.如权利要求1所述的光电陶瓷外壳侧壁通腔制备方法，其特征在于，所述陶瓷外壳(2)的侧壁厚度最小值为0.5mm。

8.如权利要求1所述的光电陶瓷外壳侧壁通腔制备方法，其特征在于，在生瓷片上冲制矩形孔时,沿XY方向推进冲孔。

9.如权利要求1所述的光电陶瓷外壳侧壁通腔制备方法，其特征在于，在生瓷片上冲制矩形孔时,沿XZ方向推进冲孔。

10.如权利要求1所述的光电陶瓷外壳侧壁通腔制备方法，其特征在于，在生瓷片上冲制矩形孔时,沿YZ方向推进冲孔。