[发明专利]一种碘离子改性纳米银导电膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202211221836.5 | 申请日： | 2022-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN115762897A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 吴俊青;曾西平;王海波;潘莹莹;林仪珊 | 申请（专利权）人： | 深圳市华科创智技术有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B13/30;H01B5/14 |
| 代理公司： | 深圳国海智峰知识产权代理事务所(普通合伙) 44489 | 代理人： | 臧芳芳 |
| 地址： | 518116 广东省深圳市龙岗区宝龙街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 离子 改性 纳米 导电 及其 制备 方法 | ||
1.一种碘离子改性纳米银导电膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将采用聚乙烯吡咯烷酮作为表面活性剂，通过多元醇还原法合成的银纳米线配制成银纳米线分散液；
(2)将银纳米线分散液涂布在基材上，干燥后得到纳米银导电膜；
(3)将银纳米线导电膜浸泡在碘离子溶液中，洗涤干燥，即得到碘离子改性纳米银导电膜。
2.根据权利要求1所述的一种碘离子改性纳米银导电膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述银纳米线表面包覆有聚乙烯吡咯烷酮。
3.根据权利要求2所述的一种碘离子改性纳米银导电膜的制备方法，其特征在于，所述银纳米线的直径为20-60nm，长度为10-50μm。
4.根据权利要求1所述的一种碘离子改性纳米银导电膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述银纳米线分散液中银纳米线的浓度为0.2-3.0mg/mL。
5.根据权利要求1所述的一种碘离子改性纳米银导电膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中涂布方式为旋涂，旋涂速度为2500-3000r/s，旋涂时间为15-30s。
6.根据权利要求1所述的一种碘离子改性纳米银导电膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述基材选自PET、PI、PEN、PVA透明基材中的一种。
7.根据权利要求1所述的一种碘离子改性纳米银导电膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述碘离子溶液选自碘化钾溶液、碘化钠溶液中的一种。
8.根据权利要求7所述的一种碘离子改性纳米银导电膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述碘离子溶液中碘离子的浓度为0.04-0.06mmol/L。
9.根据权利要求1所述的一种碘离子改性纳米银导电膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中浸泡时间为3-6min。
10.一种利用权利要求1-9任一项所述方法制备的碘离子改性纳米银导电膜。
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