[发明专利]化学镀金浴

说明书

本发明公开了一种化学镀金浴，其在ENIG法和ENEPIG法的任一种方法中，能够以一道工序来形成均匀的具有充分厚度的镀金膜。化学镀金浴含有亚硫酸金盐、硫代硫酸盐、抗坏血酸类、肼类，肼类为从己二酸二酰肼、丙酸酰肼、硫酸肼、单盐酸肼、二盐酸肼、碳酸肼、肼一水合物、癸二酸二酰肼、十二烷二羧酸二酰肼、间苯二甲酸二酰肼、水杨酸酰肼、3－氢－2－萘甲酸酰肼、二苯甲酮腙、苯肼、苯甲基肼单盐酸盐、甲基肼硫酸盐以及异丙基肼盐酸盐等所构成的组中选择的至少一种。

技术领域

本发明涉及一种化学镀金浴。

背景技术

金具有仅次于银、铜的高电导率，热压合的连接性等物理性质优异，并且耐氧化性、耐化学性等化学性质也优异。因此，在电子工业领域，用金进行的镀金被作为印刷线路板的电路、IC封装体的安装部分或端子部分等的最终表面处理法而广泛使用。近年来，伴随着电子部件的小型化、高密度化，较适宜使用不需要导线而功能性等优异的化学镀覆法。

作为该化学镀覆法，例如使用化学镀镍浸金法(Electroless Nickel ImmersionGold：ENIG)。通过使用该ENIG法能够得到依次镀上了化学镀镍膜、置换镀金膜的镀膜。例如，还使用化学镀镍钯浸金法(Electroless Nickel Electroless Palladium ImmersionGold：ENEPIG)。通过使用该ENEPIG法能够得到依次镀上了化学镀镍膜、化学镀钯膜以及置换镀金膜的镀膜。

作为在这些化学镀覆法中使用的还原置换型化学镀金浴，例如有人提出以下化学镀金浴。该化学镀金浴含有水溶性金化合物、络合剂和还原剂，作为稳定剂添加了聚乙烯醇和/或聚乙烯吡咯烷酮。并且，通过使用如此的构成，能够仅在金属部分形成良好的镀金膜，适合用于陶瓷IC或封装体等的镀金处理(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本专利公报专利第2927142号

发明内容

－发明要解决的技术问题－

此处，在上述现有化学镀金浴中，由于金难以在镀钯膜上析出，因此存在以下问题：在微小的端子部分等，镀金膜的形成不充分，难以形成均匀的镀金膜。

为了在镀镍膜上形成具有充分厚度(0.1μm以上的厚度)的镀金膜，需要在对被镀覆物上形成置换镀金膜后，再使用上述化学镀金浴来形成化学镀金膜，因此存在需要两道工序的问题。

于是，鉴于上述问题，本发明的目的在于：提供一种化学镀金浴，其在ENIG法和ENEPIG法的任一种方法中，都能够用一道工序来形成均匀的具有充分厚度的镀金膜。

－用于解决技术问题的技术方案－

为达成上述目的，本发明所涉及的化学镀金浴含有亚硫酸金盐、硫代硫酸盐、抗坏血酸类、肼类，其特征在于：肼类为从己二酸二酰肼、丙酸酰肼、硫酸肼、单盐酸肼、二盐酸肼、碳酸肼、肼一水合物、癸二酸二酰肼、十二烷二羧酸二酰肼、间苯二甲酸二酰肼、水杨酸酰肼、3－氢－2－萘甲酸酰肼、二苯甲酮腙、苯肼、苯甲基肼单盐酸盐、甲基肼硫酸盐、异丙基肼盐酸盐、1,1－二甲基肼、2－肼基苯并噻唑、乙酰肼、2－羟乙基肼、乙氧羰基肼、甲氧羰基肼、苯肼－4－磺酸以及苯甲酰肼所构成的组中选择的至少一种。

－发明的效果－

根据本发明，能够提供一种化学镀金浴，其在ENIG法和ENEPIG法的任一种方法中，都能够用一道工序来形成均匀的具有充分厚度的镀金膜。

具体实施方式

以下，说明本发明的化学镀金浴。

＜化学镀金浴＞

本发明的化学镀金浴是一种含有金供给源即亚硫酸金盐、络合剂即硫代硫酸盐、还原剂即抗坏血酸类以及还原剂即肼类的化学镀金浴。

(亚硫酸金盐)