[发明专利]一种晶向对准的方法

权利要求书

1.一种晶向对准的方法，其特征在于，包括下述步骤：

对硅晶圆进行晶向定位；

获取与所述硅晶圆的晶向平行的参考光栅；

将带有所述参考光栅的欲曝光的光栅基底置于精密转台上；

移动所述精密转台，使位于所述精密转台左右两束曝光光束均在所述光栅基底的法线方向产生衍射光；

旋转所述精密转台使两束衍射光重合并获取干涉图样；

调整所述精密转台，使所述干涉图样出现的干涉条纹周期达到最大值，静态对准完成。

2.如权利要求1所述的晶向对准的方法，其特征在于，在对硅晶圆进行晶向定位的步骤中，具体包括下述步骤：通过扇形掩模预刻蚀技术对硅晶圆进行111晶向定位。

3.如权利要求1所述的晶向对准的方法，其特征在于，在获取与所述硅晶圆的晶向平行的参考光栅的步骤中，具体包括下述步骤：通过紫外接触式光刻设备制作与晶向平行的参考光栅。

4.如权利要求1所述的晶向对准的方法，其特征在于，在将带有所述参考光栅与光致抗蚀剂的欲曝光硅晶圆置于精密转台上的步骤中，所述精密转台为二维运动工作台。

5.如权利要求4所述的晶向对准的方法，其特征在于，所述二维运动工作台由直线电机牵引并分别沿扫描方向和步进方向运动，且扫描方向和步进方向相垂直。

6.如权利要求5所述的晶向对准的方法，其特征在于，所述参考光栅的刻线方向与扫描方向平行。

7.如权利要求1所述的晶向对准的方法，其特征在于，在移动所述精密转台，位于所述精密转台左右两束曝光光束均会在法线方向产生衍射光的步骤中，具体包括下述步骤：

移动所述精密转台，使干涉场位于所述参考光栅上，位于所述精密转台的左右两束曝光光束在所述参考光栅的表面重合，左右两束曝光光束均在所述光栅基底法线方向产生衍射光。

8.如权利要求1所述的晶向对准的方法，其特征在于，在旋转所述精密转台使两束衍射光重合并获取干涉图样的步骤中，具体包括下述步骤：

在所述光栅基底的法线方向产生的两束衍射光经过上方的平面镜入射至一侧的CCD上，再通过计算机获取CCD上的实时光强分布图像。

9.如权利要求1所述的晶向对准的方法，其特征在于，在调整所述精密转台，使所述干涉图样出现的干涉条纹周期达到最大值，静态对准完成的步骤中，具体包括下述步骤：

通过调整所述精密转台，使光斑图像出现干涉条纹，之后缓慢调整所述精密转台使干涉条纹的周期达到最大值，此时静态对准完成，所述周期达到最大值即周期大于光斑的直径，光斑范围内无法观测到完整的周期性条纹。

10.如权利要求9所述的晶向对准的方法，其特征在于，在调整所述精密转台，使所述干涉图样出现的干涉条纹周期达到最大值，静态对准完成的步骤，具体包括下述步骤：

调整所述精密转台在扫描方向匀速移动，所述参考光栅与所述左右两束曝光光束产生的相对移动并使得两个衍射光束之间产生一个随移动距离线性变化的相位差，从而在所述干涉图样的光斑上每一点的光强产生明暗的周期性变化，其变化周期与对准角度误差成反比。

11.如权利要求10所述的晶向对准的方法，其特征在于，在在调整所述精密转台，使所述干涉图样出现的干涉条纹周期达到最大值，静态对准完成的步骤中的步骤中，还包括下述步骤：

所述精密转台每次移动完成后，调节所述精密转台角度，再调节所述精密转台反向移动，重复上述过程，直至找到变化周期最大的转台位置，此时保持所述精密转台位置不变完成动态对准过程完成。

12.如权利要求11所述的晶向对准的方法，其特征在于，在完成动态对准过程后还包括下述步骤：

通过所述精密转台的移动对光栅基底的剩余区域进行曝光流程，在显影完成后即可获得与硅晶圆方向精确平行的高刻线密度光栅掩模。