[发明专利]一种LTCC合路器及其加工方法

权利要求书

1.一种LTCC合路器的加工方法，其特征在于包括如下步骤：

过孔加工步骤，在切割好的陶瓷生带上开孔并填银浆，形成具有过孔的生带，所述过孔包括高频过孔和低频过孔；

图案印刷步骤，在具有所述过孔的生带上印刷出层电感、层电容和层电极的图案，所述层电感包括高频层电感和低频层电感，所述层电容包括高频层电容和低频层电容，所述层电极包括高频层电极和低频层电极，还包括位于所述高频层电极和所述低频层电极之间的隔离墙层电极，所述隔离墙层电极中具有层通孔，还包括地层；

叠层步骤，通过叠层印刷制得高频叠层电感、低频叠层电感、高频叠层电容、低频叠层电容、高频内电极、低频内电极和具有通孔的隔离墙叠层电极，所述高频叠层电感、所述高频叠层电容、所述高频内电极和所述高频过孔共同构成高频端口网络，所述低频叠层电感、所述低频叠层电容、所述低频内电极和所述低频过孔共同构成低频端口网络，所述具有通孔的隔离墙叠层电极和地构成隔离地墙，所述地层分别与所述高频端口网络、所述低频端口网络及所述隔离地墙之间形成接地电容；

单颗产品制作步骤，通过切割和烧结工序制作得到单颗合路器；

内外电路连通步骤，将预定数量的外电极印刷在所述绝缘主体框架的外侧面，并将各所述外电极和位于所述绝缘主体框架内的所述单颗合路器上的所述高频内电极和所述低频内电极分别对应连接。

2.如权利要求1所述的LTCC合路器的加工方法，其特征在于，所述过孔加工步骤中的所述过孔还包括至少一个第三频过孔；

所述图案印刷步骤印刷的所述层电感还包括至少一个第三频层电感，所述层电容还包括至少一个第三频层电容，所述层电极还包括至少一个第三频层电极；

经所述叠层步骤印刷后，所述第三频层电感、所述第三频层电容、所述第三频层电极和所述第三频过孔共同构成至少一个第三频端口网络。

3.如权利要求2所述的LTCC合路器的加工方法，其特征在于，所述第三频层电极与所述高频层电极之间和/或所述第三频层电极与所述低频层电极之间还印刷有附加隔离墙层电极，所述附加隔离墙层电极中具有层通孔；

经过叠层步骤印刷后，形成具有通孔的附加隔离墙叠层电极，所述具有通孔的附加隔离墙叠层电极和地构成附加隔离地墙。

4.如权利要求1所述的LTCC合路器的加工方法，其特征在于，所述隔离地墙与所述高频端口网络的线间距和与所述低频端口网络的线间距均≥60um。

5.如权利要求1所述的LTCC合路器的加工方法，其特征在于，所述印刷步骤中，所述隔离墙层电极的单层印刷面积为50um×200um、100um×500um或100um×800um。

6.如权利要求1所述的LTCC合路器的加工方法，其特征在于，如权利要求1所述的LTCC合路器的加工方法，其特征在于，所述隔离地墙是单柱有电极结构、多柱电极连接结构、多柱电极电容耦合结构和电极通孔整片式结构中的至少一种。

7.一种LTCC合路器，其特征在于，采用如权利要求1所述的LTCC合路器的加工方法加工得到，包括绝缘主体框架和位于其内部的单颗合路器，所述单颗合路器包括高频端口网络及其内电极、低频端口网络及其内电极，以及由具有通孔的隔离墙叠层电极和地构成的隔离地墙；

所述绝缘主体框架的外侧面印刷有预定数量的外电极，所述高频端口网络的内电极和所述低频端口网络的内电极分别对应连接各所述外电极。

8.如权利要求7所述的LTCC合路器，其特征在于，所述LTCC合路器还包括第三频端口网络和附加隔离地墙，所述附加隔离地墙位于所述第三频端口网络和所述高频端口网络之间，或所述附加隔离地墙位于所述第三频端口网络和所述低频端口网络之间。

9.如权利要求7或8所述的LTCC合路器，其特征在于，所述LTCC合路器是侧面4电极、侧面6电极，侧面6电极端口2电极、底面4电极、底面6电极、底面8电极、底面9电极封装结构中的任一种。

10.如权利要求7或8所述的LTCC合路器，其特征在于，所述LTCC合路器的外形尺寸为L×W×T≥0.6×0.5×0.4mm。