[发明专利]键合方法

权利要求书

1.一种键合方法，其包括：

将第二键合物键合到第一键合物的键合步骤；

将保护剂提供到所述第一键合物的未与所述第二键合物键合的区域的保护剂提供步骤；以及

蚀刻所述第二键合物的背面的蚀刻步骤。

2.根据权利要求1所述的键合方法，还包括：在执行所述蚀刻步骤之后，去除残留在所述第一键合物上的保护剂的保护剂去除步骤。

3.根据权利要求1所述的键合方法，还包括：在执行所述键合步骤之前，加工所述第二键合物的厚度的厚度加工步骤，并且

其中，所述厚度加工步骤加工所述第二键合物的所述厚度，使得所述第二键合物的加工厚度比目标厚度厚。

4.根据权利要求3所述的键合方法，其中，所述键合步骤通过在更靠近所述第一键合物的方向上对所述第二键合物加压来执行。

5.根据权利要求4所述的键合方法，其中，所述键合步骤通过在更靠近所述第一键合物的方向上对所述第二键合物加压并且通过加热所述第一键合物或所述第二键合物来执行。

6.根据权利要求3所述的键合方法，其中，所述蚀刻步骤蚀刻所述第二键合物的背面，使得所述第二键合物的所述厚度从所述加工厚度变为所述目标厚度。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的键合方法，还包括：将所述第一键合物的第一键合表面和所述第二键合物的第二键合表面亲水化的亲水化处理步骤，所述第一键合表面和所述第二键合表面在键合在一起时彼此面对。

8.根据权利要求7所述的键合方法，其中，所述亲水化处理步骤通过将等离子体传递到所述第一键合表面和所述第二键合表面来执行。

9.根据权利要求8所述的键合方法，其中，所述亲水化处理步骤通过将包含水的液体喷射到所述第一键合表面和所述第二键合表面上来形成水膜。

10.根据权利要求7所述的键合方法，还包括：将所述第二键合物临时键合到所述第一键合物的临时键合步骤，所述临时键合步骤在所述亲水化处理步骤和所述键合步骤之间执行。

11.一种用于将管芯键合到主晶片上的键合方法，其包括：

将所述管芯临时键合到所述主晶片上的临时键合步骤；

在面对所述主晶片的方向上对所述管芯加压的主键合步骤；以及

将保护剂提供到所述主晶片上的保护剂提供步骤。

12.根据权利要求11所述的键合方法，还包括：在所述保护剂提供步骤之后，蚀刻暴露于外部的所述管芯的背面的蚀刻步骤。

13.根据权利要求12所述的键合方法，还包括：在所述临时键合步骤之前，加工所述管芯的厚度的厚度加工步骤，并且

其中，所述厚度加工步骤加工所述管芯的厚度，使得所述管芯的加工厚度比目标厚度厚。

14.根据权利要求13所述的键合方法，其中，在所述蚀刻步骤处，蚀刻所述管芯的背面，使得所述管芯的所述加工厚度变为所述目标厚度。

15.根据权利要求11至14中任一项所述的键合方法，其中，将所述管芯键合到所述主晶片的键合头将所述管芯键合到所述主晶片上，使得所述主晶片的第一电极面对所述管芯的第二电极。

16.根据权利要求11至14中任一项所述的键合方法，其中，在所述主键合步骤处，在所述管芯和/或所述主晶片被加热的同时，所述管芯在所述主晶片的方向上被加压。

17.根据权利要求11至14中任一项所述的键合方法，还包括：将所述管芯和所述主晶片亲水化的亲水化处理步骤，所述亲水化处理步骤在所述临时键合步骤之前执行。