[发明专利]用于处理基板的设备和方法在审
| 申请号: | 202211193995.9 | 申请日: | 2022-09-28 |
| 公开(公告)号: | CN115881588A | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
| 发明(设计)人: | 崔峻荣;朴贵秀;张瑛珍;林俊铉 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 杨黎峰;刘烽 |
| 地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 处理 设备 方法 | ||
1.一种基板处理设备,包括:
处理槽,所述处理槽具有用于容纳处理液的容纳空间;
支撑构件,所述支撑构件被配置为在所述容纳空间处以竖直姿势支撑至少一个基板;以及
姿势改变机器人,所述姿势改变机器人被配置为将浸渍在所述处理液中的所述基板的姿势从所述竖直姿势改变为水平姿势,并且
其中所述姿势改变机器人包括:
主体,所述主体被配置为在其上保持所述基板;以及
液体供应构件,所述液体供应构件被配置为将润湿液供应到放置在所述主体上的所述基板。
2.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中所述液体供应构件包括:
至少一个第一喷嘴,每个第一喷嘴将所述润湿液供应到放置在所述主体上的所述基板的第一区域;以及
至少一个第二喷嘴,每个第二喷嘴将所述润湿液供应到放置在所述主体上的所述基板的第二区域,所述第二区域是与所述第一区域不同的区域。
3.根据权利要求2所述的基板处理设备,其中从所述第一喷嘴供应的所述润湿液的喷射距离与从所述第二喷嘴供应的所述润湿液的喷射距离不同。
4.根据权利要求3所述的基板处理设备,其中所述第一区域与所述第一喷嘴之间的距离短于所述第二区域与所述第二喷嘴之间的距离,
所述第一区域和所述第二区域是所述基板的边缘区域,并且
从所述第一喷嘴供应的所述润湿液的所述喷射距离短于从所述第二喷嘴供应的所述润湿液的所述喷射距离。
5.根据权利要求4所述的基板处理设备,其中所述第一喷嘴的喷孔的直径大于所述第二喷嘴的喷孔的直径。
6.根据权利要求5所述的基板处理设备,其中每单位时间传送到所述第一喷嘴的所述润湿液的供应流量与每单位时间传送到所述第二喷嘴的所述润湿液的供应流量相同。
7.根据权利要求2至6中任一项所述的基板处理设备,其中所述主体包括:
支撑主体,所述基板放置在所述支撑主体上;以及
夹持主体,所述卡盘主体被配置为夹持放置在所述支撑主体上的所述基板。
8.根据权利要求7所述的基板处理设备,其中所述液体供应构件安装在所述支撑主体上。
9.根据权利要求7所述的基板处理设备,其中所述姿势改变机器人包括:
关节部分;以及
手部,所述手部联接到所述关节部分并且包括所述支撑主体和所述夹持主体,并且
其中所述手部还包括紧固主体,所述紧固主体被配置为将所述夹持主体和所述支撑主体联接到所述关节部分。
10.根据权利要求9所述的基板处理设备,其中所述液体供应构件安装在所述紧固主体上。
11.根据权利要求10所述的基板处理的设备,其中所述液体供应构件是形成有所述第一喷嘴和所述第二喷嘴的供应管道。
12.根据权利要求9所述的基板处理设备,其中所述液体供应构件紧固到所述关节部分上,并且被配置为将所述润湿液供应到放置在所述支撑主体上的所述基板的中心区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





