[发明专利]一种用于改善材质表面触感的微结构图形制备方法及产品

权利要求书

1.一种用于改善材质表面触感的微结构图形制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：清洗基板；

S2：在基板的表面涂覆一层光刻胶掩膜层；

S3：对基板进行纳米压印，在基板的表面形成微纳米压印掩膜图形；

S4：将带有光刻胶微纳米压印掩膜图形的基板进行刻蚀，刻蚀完成后，在基板表面形成微结构图形；

所述微结构图形包括多个微结构单元，所述微结构单元的宽度范围为0.5～30um，高度范围为1.5～30um，深宽比范围为1：1～1：16，雾度范围为30％～80％，透过率范围为10％～60％。

2.根据权利要求1所述的微结构图形制备方法，其特征在于，所述基板的材料为玻璃、石英、蓝宝石、金属中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的微结构图形制备方法，其特征在于，S2中，光刻胶掩膜层的厚度范围为0.5～13μm。

4.根据权利要求1所述的微结构图形制备方法，其特征在于，S4中，利用ICP干法刻蚀设备进行刻蚀。

5.根据权利要求1所述的微结构图形制备方法，其特征在于，多个所述微结构单元按照周期值呈随机分布或矩阵分布。

6.根据权利要求5所述的微结构图形制备方法，其特征在于，所述微结构单元的结构为圆柱型、圆锥型、圆凸台型、鼓包型中的一种或多种。

7.根据权利要求6所述的微结构图形制备方法，其特征在于，所述微结构单元的结构为圆锥型时，圆锥的高度H的范围为0.5～5μm，圆锥的底部直径D范围为0.1～30μm，D/H的范围为2～10。

8.根据权利要求7所述的微结构图形制备方法，其特征在于，所述周期值范围为4～30μmm。

9.根据权利要求1-8任一项所述的微结构图形制备方法，其特征在于，在S2之前，还包括：微结构图形的生成方法，具体包括以下内容：向处理器输入基板的材料，处理器通过计算分析得出微结构单元的具体结构、参数以及分布类型。

10.一种如权利要求1-9任一项所述的微结构图形制备方法获得的微结构图形。