[发明专利]一种含有复合吸收层的硒化锑薄膜太阳电池

权利要求书

1.一种含Sb₂(S_1-x Se_x)₃/Sb₂Se₃结构的复合吸收层硒化锑太阳电池，包括玻璃衬底；其特征在于，所述玻璃衬底下表面由上到下依次沉积：透明导电氧化物前电极层、n型窗口层、p型Sb₂(S_1-x Se_x)₃半导体层、p型Sb₂Se₃半导体层、背电极层。

2.根据权利要求1所述一种含Sb₂(S_1-x Se_x)₃/Sb₂Se₃结构的复合吸收层硒化锑太阳电池，其特征在于，所述透明导电氧化物前电极层材料为ITO(In₂O₃:Sn)、FTO(SnO₂:F)、AZO(ZnO:Al)中的任意一种。

3.根据权利要求1所述一种含Sb₂(S_1-x Se_x)₃/Sb₂Se₃结构的复合吸收层硒化锑太阳电池，其特征在于，所述n型窗口层为CdS、CdSe、ZnSe中的任意一种。

4.根据权利要求1所述一种含Sb₂(S_1-x Se_x)₃/Sb₂Se₃结构的复合吸收层硒化锑太阳电池，其特征在于，所述背电极层由Au、Pt、Ag、Ni、Cu、Mo金属薄膜中的一种。

5.根据权利要求1所述一种含Sb₂(S_1-x Se_x)₃/Sb₂Se₃结构的复合吸收层硒化锑太阳电池，其特征在于，所述p型Sb₂(S_1-x Se_x)₃半导体层为多带隙组合多层膜。

6.根据权利要求1所述一种含Sb₂(S_1-x Se_x)₃/Sb₂Se₃结构的复合吸收层硒化锑太阳电池，其特征在于，所述前电极层与n型窗口层之间设置缓冲层。

7.根据权利要求6所述一种含Sb₂(S_1-x Se_x)₃/Sb₂Se₃结构的复合吸收层硒化锑太阳电池，其特征在于，所述缓冲层为ZnO:Mg、ZnO、TiO₂半导体材料中的一种或几种制备而成。

8.根据权利要求1所述一种含Sb₂(S_1-x Se_x)₃/Sb₂Se₃结构的复合吸收层硒化锑太阳电池，其特征在于，所述p型Sb₂Se₃半导体层与背电极层之间设置背接触层。

9.根据权利要求8所述一种含Sb₂(S_1-x Se_x)₃/Sb₂Se₃结构的复合吸收层硒化锑太阳电池，其特征在于，所述背接触层为ZnTe:Cu、Spiro-OMeTAD、P3HT中的一种或几种制备而成。