[发明专利]一种驱动电路、芯片及电子设备在审
申请号: | 202211165583.4 | 申请日: | 2022-09-23 |
公开(公告)号: | CN115498857A | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 田磊 | 申请(专利权)人: | 思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088;H02H7/12;H02H11/00 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 杜杨 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 驱动 电路 芯片 电子设备 | ||
1.一种驱动电路,其特征在于,所述驱动电路包括逻辑器件、第一开关单元、第二开关单元以及防倒灌单元;
所述逻辑器件的控制端口分别与所述第一开关单元的第一端和所述第二开关单元的第一端连接;
所述第一开关单元的第二端与驱动电源连接,所述第二开关单元的第二端接地,所述防倒灌单元分别与所述第一开关单元的第三端、所述第二开关单元的第三端连接;
在所述防倒灌单元与所述第二开关单元之间引出接线端子,作为所述驱动电路的输出端;
所述防倒灌单元的控制信号输入端和所述第一开关单元的控制信号输入端用于在获取到对应的控制信号时,将所述驱动电路切换至目标驱动模式,所述目标驱动模式包括漏极开路驱动模式和推挽输出驱动模式。
2.如权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,所述防倒灌单元包括第一子单元和第二子单元;
所述第一子单元的第一端与所述第一开关单元的第三端连接,所述第一子单元的第二端与所述第二开关单元的第三端连接,所述第一子单元的第三端与所述第二子单元的第二端连接,所述第二子单元的第一端连接于所述驱动电源;
在所述防倒灌单元的控制信号输入端和所述第一开关单元的控制信号输入端接收到所述推挽输出驱动模式对应的控制信号时,所述第二子单元切换为常通状态,以将所述第一子单元的第三端上拉至所述驱动电源,以使所述第一子单元切换为常通状态,将所述驱动电路切换至所述推挽输出驱动模式;
在所述防倒灌单元的控制信号输入端和所述第一开关单元的控制信号输入端接收到所述漏极开路驱动模式对应的控制信号时,所述第二子单元切换为常断状态,所述第一子单元的第三端与所述驱动电路的输出端导通,以使所述第一子单元切换为常断状态,所述第一开关单元切换为常断状态,将所述驱动电路切换至所述漏极开路驱动模式。
3.如权利要求2所述的驱动电路,其特征在于,所述第一子单元包括第二PMOS管、第三PMOS管以及第四PMOS管;
所述第四PMOS管的第一极作为所述第一子单元的第一端与所述第一开关单元的第三端连接;
所述第四PMOS管的第二极作为所述第一子单元的第二端与所述第二开关单元的第三端连接;
所述第四PMOS管的衬底与所述第三PMOS管的第一极连接,所述第三PMOS管的衬底连接于所述第三PMOS管的第一极,在所述第四PMOS管的衬底与所述第三PMOS管的第一极之间引出接线端子,作为所述第一子单元的第三端与所述第二子单元的第二端连接,所述第三PMOS管的第二极连接于所述驱动电路的输出端;
所述第二PMOS管的第一极连接于所述驱动电路的输出端,所述第二PMOS管的衬底连接于所述第二PMOS管的第一极,所述第二PMOS管的第二极连接于所述第四PMOS管的栅极。
4.如权利要求3所述的驱动电路,其特征在于,所述第一子单元还包括第二NMOS管;
所述第二NMOS管的源极接地,所述第二NMOS管的漏极连接于所述第四PMOS管的栅极;
所述第二NMOS管的栅极、所述第二PMOS管的栅极以及所述第三PMOS管的栅极作为所述第一子单元的控制信号输入端。
5.如权利要求2所述的驱动电路,其特征在于,所述第二子单元包括第五PMOS管、第六PMOS管以及第七PMOS管;
所述第六PMOS管的源极作为所述第二子单元的第一端连接于所述驱动电源;
所述第五PMOS管的第一极作为所述第二子单元的第二端与所述第一子单元的第三端连接,所述第五PMOS管的衬底连接于所述第五PMOS管的第一极,所述第六PMOS管的漏极与所述第五PMOS管的第二极连接;
所述第七PMOS管的第一极连接于所述第五PMOS管的第一极和所述第一子单元的第三端之间,所述第七PMOS管的衬底连接于所述第七PMOS管的第一极,所述第七PMOS管的第二极连接于所述第五PMOS管的栅极。
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