[发明专利]一种PVD镀膜方法在审

专利信息
申请号: 202211147777.1 申请日: 2022-09-21
公开(公告)号: CN115466923A 公开(公告)日: 2022-12-13
发明(设计)人: 金浩星;朱喆;赵凤松;郭庆彬;张彦峰;闫小瑞 申请(专利权)人: 深圳市和胜金属技术有限公司
主分类号: C23C14/02 分类号: C23C14/02;C23C14/50;C23C14/58
代理公司: 深圳市宏德雨知识产权代理事务所(普通合伙) 44526 代理人: 李捷
地址: 518000 广东省深圳市光*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 pvd 镀膜 方法
【说明书】:

发明公开了一种PVD镀膜方法,其包括以下步骤:S1:第一次清洁工件;S2:将S1中的工件送入HKS‑G设备内,工件与HKS‑G设备内的PVD镀膜夹具连接;S3:HKS‑G设备加热工件;S4:第二次清洁工件,第二次清洁工件用于去除工件表面氧化物;S5:将S4中去除表面氧化物后的工件进行镀膜;S6:将S5中镀膜后的工件进行预冷;S7:将S6中预冷后的工件从HKS‑G设备取出,然后将工件进行抛光,从而得到工件成品。整体步骤既能对工件进行镀膜加工,还提升了工件的光洁度;使得工件表面成膜更均匀、更稳定,提升了工件镀膜的质量。

技术领域

本发明涉及镀膜加工领域,更具体地说,涉及一种PVD镀膜方法。

背景技术

镀膜是一种工艺,它将一层薄膜覆盖在工件表面上,以保护工件表面免受磨损和腐蚀,镀膜工艺可以应用于金属、塑料和其他材料,以提高工件使用寿命的作用。

现有的PVD镀膜过程中存在工件在反应炉内受热不均,造成工件硬度降低,以及工件成膜质量差的问题。所以我们提出了一种PVD镀膜方法来解决上述存在的问题。

发明内容

1.要解决的技术问题

针对现有技术中存在的问题,本发明的目的在于提供一种PVD镀膜方法,通过先对第一次清洁后的工件依次进行分段预热,PVD镀膜夹具带动工件转动;其次,对预热后的工件进行金属轰击清洁,使得能够进一步的保证工件洁净,接着通过分阶段控制靶材,将不同靶材,施加不同偏压和电流,进而能够在工件外壁表面镀膜;待工件完全冷却后,对成膜的工件表面进行精抛光;PVD镀膜方法解决了工件在反应炉内受热不均匀的问题,提升了工件的镀膜质量。

2.技术方案

为解决上述问题,本发明采用如下的技术方案。

一种PVD镀膜方法,包括以下步骤:

S1:第一次清洁工件,所述工件表面干燥、且粗糙度小于Ra0.1;

S2:将所述S1中的工件送入HKS-G设备内,所述工件与所述HKS-G设备内的PVD镀膜夹具连接;

S3:HKS-G设备加热工件,其包括:

S31:通过抽真空设备将所述HKS-G设备抽真空;

S32:启动S31中抽真空后的HKS-G设备运行,所述PVD镀膜夹具带动所述工件转动;

S33:以时间为单位,所述HKS-G设备内的加热装置对工件进行加热;

S4:第二次清洁工件,所述第二次清洁工件用于去除工件表面氧化物;

S5:将S4中去除表面氧化物后的工件进行镀膜;

S6:将S5中镀膜后的工件进行预冷;

S7:将S6中预冷后的工件从HKS-G设备取出,然后将所述工件进行抛光,从而得到工件成品。

本发明中,所述加热装置调节所述HKS-G设备内的温度;所述S33包括:

S331:将所述HKS-G设备内温度设置在750~850度,持续10~20分钟;

S332:将所述HKS-G设备内温度设置在450~550度,持续180~220分钟;

S333:将所述HKS-G设备内温度设置在400~500度,持续80~100分钟。

本发明中,所述S4的具体步骤为:

S41:往所述HKS-G设备通入气体,使得所述HKS-G设备内气压介于0.005-0.015Pa之间;

S42:金属轰击清洁工件,

启动第一靶材,将第一靶材以80~150A的电流以及300~1000V的偏压,将第一靶材离子化,离子化的第一靶材与工件表面的氧化物碰撞,从而去除工件表面氧化物;

S43:氧化物脱离工件表面后,被所述真空设备通过真空吸附排出HKS-G设备。

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