[发明专利]一种PVD镀膜方法

权利要求书

1.一种PVD镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：第一次清洁工件，所述工件表面干燥、且粗糙度小于Ra0.1；

S2：将所述S1中的工件送入HKS-G设备内，所述工件与所述HKS-G设备内的PVD镀膜夹具连接；

S3：HKS-G设备加热工件，其包括：

S31：通过抽真空设备将所述HKS-G设备抽真空；

S32：启动S31中抽真空后的HKS-G设备运行，所述PVD镀膜夹具带动所述工件转动；

S33：以时间为单位，所述HKS-G设备内的加热装置对工件进行加热；

S4：第二次清洁工件，所述第二次清洁工件用于去除工件表面氧化物；

S5：将S4中去除表面氧化物后的工件进行镀膜；

S6：将S5中镀膜后的工件进行预冷；

S7：将S6中预冷后的工件从HKS-G设备取出，然后将所述工件进行抛光，从而得到工件成品。

2.根据权利要求1所述的PVD镀膜方法，其特征在于，所述加热装置调节所述HKS-G设备内的温度；所述S33包括：

S331：将所述HKS-G设备内温度设置在750～850度，持续10～20分钟；

S332：将所述HKS-G设备内温度设置在450～550度，持续180～220分钟；

S333：将所述HKS-G设备内温度设置在400～500度，持续80～100分钟。

3.根据权利要求1所述的PVD镀膜方法，其特征在于，所述S4包括：

S41：往所述HKS-G设备通入气体，使得所述HKS-G设备内气压介于0.005－0.015Pa之间；

S42：金属轰击清洁工件，启动第一靶材，将第一靶材以80～150A的电流以及300～1000V的偏压，将第一靶材离子化，离子化的第一靶材与工件表面的氧化物碰撞，从而去除工件表面氧化物；

S43：氧化物脱离工件表面后，被所述真空设备通过真空吸附排出HKS-G设备。

4.根据权利要求3所述的PVD镀膜方法，其特征在于，以时间为单位，所述S42包括：

S421：以300～1000V的偏压，轰击工件5分钟；以及

S422：以 500～800V的偏压，轰击工件5分钟；

其中，所述S421与所述S422之间设置有3～5分钟的间隔时间，所述S42设置有若干组，且若干组所述S42之间均设置有3～5分钟的间隔时间。

5.根据权利要求1所述的PVD镀膜方法，其特征在于，所述S5包括：

S51：往所述HKS-G设备通入气体，使得所述HKS-G设备内气压介于0.005－0.015Pa之间；

S52：启动所述HKS-G设备，使得HKS-G设备内的PVD镀膜夹具带动工件转动；

S53：以时间为单位，分阶段将靶材离子化，沉积在所述工件表面，从而形成涂层。

6.根据权利要求5所述的PVD镀膜方法，其特征在于，所述S53包括：

S531：所述HKS-G设备内偏压设置在30～50V，第一靶材施加120～150A的电流、以及1～2Pa的压力，将所述第一靶材离子化并沉积在所述工件表面，持续120分钟，从而形成第一膜层；

S532：所述HKS-G设备内偏压设置在30～50V，第二靶材施加 140～160A 电流、以及1～2Pa的压力，将第二靶材离子化并沉积在所述第一膜层表面，持续20分钟，从而形成第二膜层；

S533：所述HKS-G设备内偏压设置在50～80V ，第三靶材施加140～160A的电流、以及，3～5Pa的压力，将所述第三靶材离子化并沉积在所述第二膜层表面，持续 120分钟，从而形成第三膜层，所述工件完成镀膜操作。

7.根据权利要求1所述的PVD镀膜方法，其特征在于，所述S6包括：

S61：将所述HKS-G设备抽真空至1.0X10^-3pa以下；

S62：当所述HKS-G设备内部温度小于200℃，充入降压气体，取出工件。