[发明专利]芯片分析方法、装置、电子设备及存储介质

说明书

本公开提供一种芯片分析方法、装置、电子设备及存储介质，旨在提升芯片分析效率。其中，芯片分析方法包括：获得芯片的失效定位结果和DFM模型针对芯片生成的薄弱分析结果，失效定位结果包括可疑失效层和每个可疑失效层中的可疑失效位置，薄弱分析结果包括薄弱层和每个薄弱层中的薄弱位置；针对指向同一层芯片结构的可疑失效层和薄弱层，进行可疑失效位置和薄弱位置的比较，并根据可疑失效位置和薄弱位置的重叠情况，从可疑失效位置中确定候选失效位置。本公开中，通过结合失效定位结果和薄弱分析结果，对可疑失效位置进行筛选，可以准确缩小可疑失效位置的范围，有利于减少后续分析流程的分析量，提升分析效率。

技术领域

本公开涉及芯片技术领域，尤其涉及一种芯片分析方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

在芯片技术领域中，当芯片发生良率失效后，通常会对芯片进行定位分析，从而确定出芯片中可能发生失效的芯片结构层和芯片结构层中可能发生失效的位置，例如可能发生失效的位置是某个芯片结构层中的两条金属线。接着再针对确定出的每个芯片结构层和每个可能发生失效的位置，通过对芯片进行失效分析，以检测每个芯片结构层和每个可能发生失效的位置实际是否失效，从而锁定芯片中的实际失效位置。

然而由于定位分析技术的原因，定位分析阶段难以精确地确定出实际失效位置，因此定位分析阶段通常会输出很多个可能的失效层和失效位置，这导致在失效分析阶段，需要针对很多个可能的失效位置执行大量的失效分析过程，进而导致实际失效位置的确定效率低且浪费大量资源。

发明内容

本公开的目的是提供一种芯片失效分析方法、装置、电子设备及存储介质，旨在提升芯片分析的分析效率。

根据本公开的一个方面，提供一种芯片分析方法，该方法包括：

获得芯片的失效定位结果和第一DFM模型针对芯片生成的第一薄弱分析结果，失效定位结果包括芯片的可疑失效层和每个可疑失效层中的可疑失效位置，第一薄弱分析结果包括芯片的第一薄弱层和每个第一薄弱层中的第一薄弱位置；

针对指向同一层芯片结构的可疑失效层和第一薄弱层，进行可疑失效位置和第一薄弱位置的比较，并根据可疑失效位置和第一薄弱位置的重叠情况，从可疑失效位置中确定候选失效位置。

可选地，失效定位结果还包括每个可疑失效位置的失效原因，第一薄弱分析结果还包括每个第一薄弱位置的第一薄弱原因；

根据根据可疑失效位置和第一薄弱位置的重叠情况，从可疑失效位置中确定候选失效位置，包括：针对存在重叠的可疑失效位置和第一薄弱位置，判断目标失效原因和目标第一薄弱原因是否匹配，目标失效原因为存在重叠的可疑失效位置的失效原因，目标第一薄弱原因为存在重叠的第一薄弱位置的第一薄弱原因；如果匹配，则将存在重叠的可疑失效位置确定为候选失效位置。

可选地，芯片分析方法还包括：

获得第二DFM模型针对芯片生成的第二薄弱分析结果，第二薄弱分析结果包括芯片的第二薄弱层、每个第二薄弱层中的第二薄弱位置、以及每个第二薄弱位置的第二薄弱原因；

针对指向同一层芯片结构的候选失效层和第二薄弱层，进行候选失效位置和第二薄弱位置的比较，其中，候选失效层是指候选失效位置对应的可疑失效层；

根据候选失效位置和第二薄弱位置的重叠情况，以及候选失效位置的失效原因和第二薄弱位置的第二薄弱原因的匹配情况，确定每个候选失效位置的优先级，其中，与第二薄弱位置存在重叠、且失效原因与第二薄弱原因相匹配的候选失效位置，其优先级高于其余候选失效位置的优先级，优先级用于确定候选失效位置在失效分析期间的分析顺序，优先级越高的候选失效位置越先被分析。

可选地，芯片分析方法还包括：

根据每个候选失效位置的失效原因，确定每种失效原因在所有候选失效位置的所有失效原因中的占比；