[发明专利]一种显示面板及显示装置在审
| 申请号: | 202211139788.5 | 申请日: | 2022-09-19 |
| 公开(公告)号: | CN115425057A | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
| 发明(设计)人: | 张建超;金广;朱运遥;宋致远 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人: | 顾艳宇 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底层,衬底层的一侧设置有多个发光器件,相邻的所述发光器件之间设置有像素限定结构;
光致变色结构,设置于所述发光器件远离所述衬底层的一侧,所述光致变色结构在所述衬底层上的正投影落入所述像素限定结构在所述衬底层上的正投影内;
所述光致变色结构用于在吸收的光量达到临界点的情况下颜色变深。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述光致变色结构用于在吸收的光量达到临界点的情况下,颜色变为黑色。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
封装层,设置于所述发光器件远离所述衬底层的一侧,所述封装层覆盖所述发光器件;
所述光致变色结构设置于所述封装层远离所述发光器件的一侧。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
封装层,设置于所述发光器件远离所述衬底层的一侧,所述封装层覆盖所述发光器件;
偏光片,设置于所述封装层远离所述发光器件的一侧;
所述光致变色结构设置于所述偏光片远离所述封装层的一侧;和/或,
光学胶层,设置于所述封装层远离所述发光器件的一侧;
所述光致变色结构设置于所述光学胶层远离所述封装层的一侧;和/或,
触控层,设置于所述封装层远离所述发光器件的一侧;
所述光致变色结构设置于所述触控层远离所述封装层的一侧。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述光致变色结构在所述衬底层上的正投影围绕所述发光器件在所述衬底层上的正投影;和/或,
在垂直于所述光致变色结构的形状延伸方向上,所述光致变色结构的截面形状为梯形,梯形的下底靠近所述衬底层,梯形的上底远离所述衬底层,所述光致变色结构的形状延伸方向平行于所述衬底层所在的平面;和/或,
所述光致变色结构的材料包括过渡金属氧化物、掺杂稀土的氟化钙、甲基紫精、偶氮苯、二芳基乙烯类和螺呋喃类中的一种或多种。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的显示面板,其特征在于,
相邻的所述发光器件之间的所述像素限定结构包括至少两个凸部和至少一个凹部,所述凹部设置于相邻的所述凸部之间;
所述凸部的表面设置有反射层。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,
所述凸部远离所述衬底层一端的宽度小于所述凸部靠近所述衬底层一端的宽度。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,
所述凸部远离所述衬底层的最远端低于所述发光器件远离所述衬底层一侧的表面,或,所述凸部远离所述衬底层的最远端与所述发光器件远离所述衬底层一侧的表面共面设置。
9.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,
所述像素限定结构包括基底层,所述凸部和所述凹部设置于所述基底层远离所述衬底层的一侧;
所述凸部远离所述衬底层的最远端超出所述发光器件远离所述衬底层一侧的表面。
10.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,
所述光致变色结构在所述衬底层上的正投影落入所述凸部在所述衬底层上的正投影。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,
在垂直于所述凸部的形状延伸方向上的所述凸部的截面形状为梯形的情况下,所述光致变色结构在所述衬底层上的正投影覆盖梯形的上底在所述衬底层上的正投影,所述凸部的形状延伸方向与所述衬底层所在的平面平行;
在垂直于所述凸部的形状延伸方向上的所述凸部的截面形状为三角形的情况下,所述光致变色结构在所述衬底层上的正投影覆盖三角形远离所述衬底层的一端在所述衬底层上的正投影。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





