[发明专利]应用于存储器的损耗均衡电路和存储器

说明书

本公开实施例公开了一种应用于存储器的损耗均衡电路和存储器，其中，电路包括：控制模块，用于读取存储器中的数据写信息，并根据数据写信息控制均衡模块和地址映射模块执行相应操作；所述均衡模块，用于响应于数据写信息达到预设条件，根据控制模块的控制对存储器中的第一参数和第二参数进行更新，并将更新后的第一参数和第二参数通过控制模块返回存储器；所述地址映射模块，用于在每次所述均衡模块对所述第一参数和所述第二参数更新后，确定所述存储器中的逻辑存储地址与物理存储地址之间的映射关系；本实施例均衡了读写地址分布的不一致性，提高了存储器中每个物理存储地址的使用率，提高了存储器的使用时间，增强了存储器的耐久性。

技术领域

本公开涉及数据存储技术领域，尤其是一种应用于存储器的损耗均衡电路和存储器。

背景技术

阻变随机存储器是目前最有前途的存储器技术之一。阻变随机存储器的优势主要包括：易于制造、简单的金属-绝缘体-金属(MIM)结构、优异的可扩展性、纳秒速度、长数据保留以及与当前CMOS技术的兼容性。阻变随机存储器是基于忆阻器的存储器，其存储过程大致是：外部刺激(如电压)驱动离子并改变存储介质的局部结构，从而导致随后用于存储数据的电阻发生变化。由于涉及到存储介质局部结构的频繁改变，其耐久性就会成为面临的主要问题，尽管据报道，阻变随机存储器的耐久性高达1012，但仍不足以取代动态随机存取存储器(DRAM)。阻变随机存储器具有足够快的开关速度，可以替换DRAM，并且用于制造阻变随机存储器的材料与DRAM非常相似，因此提高阻变随机存储器的耐久性成为一个关键挑战。

发明内容

为了解决上述技术问题，提出了本公开。本公开的实施例提供了一种应用于存储器的损耗均衡电路和存储器。

根据本公开实施例的一个方面，提供了一种应用于存储器的损耗均衡电路，包括：

控制模块，用于读取存储器中的数据写信息，并根据所述数据写信息控制均衡模块和地址映射模块执行相应操作；

所述均衡模块，用于响应于所述数据写信息达到预设条件，根据所述控制模块的控制对所述存储器中的第一参数和第二参数进行更新，并将更新后的第一参数和第二参数通过所述控制模块返回所述存储器；其中，所述第一参数用于表征所述存储器中所有存储块均完成搬移操作的完整搬移次数，所述第二参数用于表征在一次完整搬移操作中所述存储器中完成搬移操作的物理存储地址；

所述地址映射模块，用于在每次所述均衡模块对所述第一参数和所述第二参数更新后，确定所述存储器中的逻辑存储地址与物理存储地址之间的映射关系。

可选地，所述数据写信息包括数据写入次数，所述控制模块包括：

参数传输单元，用于根据接收的复位信号控制所述均衡模块和所述地址映射模块执行复位，读取所述存储器中的第一参数和第二参数传输给所述均衡模块和所述地址映射模块；

计数单元，用于获取所述存储器的数据读写信号，对所述数据读写信号的数据写入次数进行记录，响应于所述数据写入次数达到所述预设条件，启动所述均衡模块；

表头读写单元，用于将接收到的所述均衡模块更新后的第一参数和第二参数写入所述存储器的表头。

可选地，所述表头读写单元，还用于将所述更新后的第一参数和第二参数传输给所述地址映射模块。

可选地，所述均衡模块，包括：

第一更新单元，用于根据所述存储器中的地址空间大小与所述存储器中存储块的大小之间的商值，对所述第一参数进行更新；

第二更新单元，用于响应于根据所述存储器对应的每个数据读写信号，对所述第二参数进行更新。