[发明专利]密钥产生装置以及密钥产生方法

说明书

本发明公开了一种密钥存储装置，其特征在于，包括第一密钥单元和第二密钥单元。第一密钥单元，用以通过第一端点输出第一逻辑值，包括：第一设定电路，用以输出第一设定电压；以及第一反相器，包括具有第一临界电压的第一输出晶体管，用以接收该第一设定电压以及产生该第一逻辑值。第二密钥单元，用以通过第二端点输出第二逻辑值，包括：第二设定电路，用以输出第二设定电压；以及第二反相器，包括具有第二临界电压的第二输出晶体管，用以接收该第二设定电压以及产生该第二逻辑值。第一临界电压的绝对值低于该第二临界电压的绝对值。第一设定电压高于该第二设定电压。

技术领域

本发明有关于密钥产生装置以及密钥产生方法，特别有关于可提供电子装置或电路的密钥的密钥产生装置以及密钥产生方法。

背景技术

随着近年来科技的进步，集成电路(Integrated Circuit，IC)对于各种电子装置变得越来越重要。半导体厂商常常耗费大量资源来研发IC设计。然而，IC的逆向工程对半导体厂商来说是一个严重的威胁，因为它可能被攻击者用来窃取或复制电路设计。成功对IC进行逆向工程的攻击者可以制造和销售类似的IC，或非法销售IC的设计，或者泄露IC的设计。这种逆向工程也可能使用在晶片上。

因此，需要一种提供用于防止逆向工程的密钥(key)的机制。

发明内容

本发明一目的为公开一种可提供密钥的密钥存储装置。

本发明另一目的为公开一种可提供密钥的密钥产生方法。

本发明一实施例公开了一种密钥存储装置，其特征在于，包括第一密钥单元和第二密钥单元。第一密钥单元，用以通过第一端点输出第一逻辑值，包括：第一设定电路，用以输出第一设定电压；以及第一反相器，包括具有第一临界电压的第一输出晶体管，用以接收该第一设定电压以及产生该第一逻辑值。第二密钥单元，用以通过第二端点输出第二逻辑值，包括：第二设定电路，用以输出第二设定电压；以及第二反相器，包括具有第二临界电压的第二输出晶体管，用以接收该第二设定电压以及产生该第二逻辑值。第一临界电压的绝对值低于该第二临界电压的绝对值。第一设定电压高于该第二设定电压。

本发明另一实施例公开了一种密钥产生方法，其特征在于，包括：以第一设定电路产生第一设定电压；传送该第一设定电压至第一反相器中的第一输出晶体管来产生第一逻辑值，其中该第一输出晶体管具有第一临界电压；第二设定电路产生第二设定电压；以及传送该第二设定电压至第二反相器中的第二输出晶体管来产生第二逻辑值，其中该第二输出晶体管具有第二临界电压。该第一临界电压的绝对值低于该第二临界电压的绝对值。其中该第一设定电压高于该第二设定电压。

根据上述实施例，公开了一种用于防止逆向工程的密钥的机制。这样的密钥可以进一步用于其他应用。

附图说明

图1绘示了根据本发明一实施例的密钥存储装置的方块图。

图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8以及图9为根据本发明不同实施例的密钥存储装置的电路图。

图10为绘示了根据本发明一实施例的密钥产生方法的流程图。

其中，附图标记说明如下：

100 密钥存储装置

901 比较器

C1 第一电容 C2 第二电容

C3 第三电容 C4 第四电容

CL_1 第一控制线 CL_2 第二控制线

IV_1 第一反相器 IV_2 第二反相器

IN_1 第一输入端点 IN_2 第二输入端点

KU_1 第一密钥单元 KU_2 第二密钥单元