[发明专利]密钥产生装置以及密钥产生方法

权利要求书

1.一种密钥存储装置，其特征在于，包括：

第一密钥单元，用以通过第一端点输出第一逻辑值，包括：

第一设定电路，用以输出第一设定电压；以及

第一反相器，包括具有第一临界电压的第一输出晶体管，用以接收该第一设定电压以及产生该第一逻辑值；以及

第二密钥单元，用以通过第二端点输出第二逻辑值，包括：

第二设定电路，用以输出第二设定电压；以及

第二反相器，包括具有第二临界电压的第二输出晶体管，用以接收该第二设定电压以及产生该第二逻辑值；

其中该第一临界电压的绝对值低于该第二临界电压的绝对值；

其中该第一设定电压高于该第二设定电压。

2.如权利要求1所述的密钥存储装置，其特征在于，其中该第一输出晶体管的第一电阻值低于该第二输出晶体管的第二电阻值。

3.如权利要求1所述的密钥存储装置，其特征在于，

其中该第一设定电路以及该第二设定电路分别包括设定级；

其中该设定级包括接收预定电压的控制端，且该设定级用以根据该预定电压分别产生该第一设定电压以及该第二设定电压。

4.如权利要求3所述的密钥存储装置，其特征在于，其中该第一设定电路的该设定级包括具有该第一临界电压的第一设定晶体管，且该第二设定电路的该设定级包括具有该第二临界电压的第二设定晶体管。

5.如权利要求4所述的密钥存储装置，其特征在于，

其中该第一反相器进一步包括具有第三临界电压的第三输出晶体管，且包括耦接第一供应电压的第一端，耦接该第一端点的第二端，以及接收该第一设定电压的控制端；

其中该第二反相器进一步包括具有第四临界电压的第四输出晶体管，且包括耦接该第一供应电压的第一端，耦接该第二端点的第二端，以及接收该第二设定电压的控制端；

其中该第一输出晶体管包括耦接该第一端点的第一端，耦接第二供应电压的第二端，以及接收该第一设定电压的控制端；

其中该第一供应电压和该第一设定电压间的差异为第一电压差，且该第二供应电压和该第一设定电压间的差异为第二电压差；

其中该第一电压差和该第三临界电压的绝对值间的差异小于该第二电压差和该第一临界电压的绝对值间的差异。

6.如权利要求5所述的密钥存储装置，其特征在于，

其中该第二输出晶体管包括耦接该第二端点的第一端，耦接该第二供应电压的第二端，以及接收该第二设定电压的控制端；

其中该第一供应电压和该第二设定电压间的差异为第三电压差，且该第二供应电压和该第二设定电压间的差异为第四电压差；

其中该第三电压差和该第四临界电压的绝对值间的差异大于该第四电压差和该第二临界电压的绝对值间的差异。

7.如权利要求5所述的密钥存储装置，其特征在于，其中该第三临界电压的该绝对值等于或高于该第四临界电压的绝对值。

8.如权利要求5所述的密钥存储装置，其特征在于，其中该第三临界电压的该绝对值等于或高于该第一临界电压的该绝对值，且该第四临界电压的绝对值等于或低于该第二临界电压的该绝对值。

9.如权利要求4所述的密钥存储装置，其特征在于，

其中该第一设定晶体管，该第二设定晶体管，该第一输出晶体管以及该第二输出晶体管为NMOS；

其中该第一设定电路的该设定级以及该第二设定电路的该设定级逐级降低该预定电压；

其中该第一逻辑值为低且该第二逻辑值为高。

10.如权利要求4所述的密钥存储装置，其特征在于，

其中该第一设定晶体管，该第二设定晶体管，该第一输出晶体管以及该第二输出晶体管为NMOS；

其中该第一设定电路的该设定级以及该第二设定电路的该设定级逐级增加该预定电压；

其中该第一逻辑值为高且该第二逻辑值为低。