[发明专利]电磁屏蔽膜及其制备方法

权利要求书

1.一种电磁屏蔽膜，其特征在于，所述电磁屏蔽膜包括层叠设置的基材层、附着力增强层、纳米石墨烯层、金属功能层以及抗氧化层；所述纳米石墨烯层与所述金属功能层之间形成异质结构界面。

2.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述基材层的厚度为0.006mm-20mm。

3.如权利要求1或2所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述基材层为至少一种可透射可见光的载体。

4.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述附着力增强层的厚度为0.1nm-20nm。

5.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述纳米石墨烯层的厚度为0.1nm-100nm。

6.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述金属功能层的厚度为1nm-100nm。

7.如权利要求1或6所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述金属功能层的材料为银、金、钯、铂、铝、铜、锌、钛、铁、镍、铬及其合金。

8.如权利要求7所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述金属功能层的材料为银合金，其中，所述银合金中银的比例大于等于80％。

9.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述抗氧化层的厚度为1nm-100nm。

10.一种如权利要求1所述的电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步：将纳米石墨烯层靶材、金属功能层靶材、抗氧化层靶材安装在柔性磁控溅射镀膜设备的相应位置；

第二步：开启所述设备，将所述设备腔体真空度抽至5*10^-3Pa；

第三步：向所述腔体内通入工艺气体，根据工艺需求设定基材走速，开启预处理电源，开启靶材至工艺所需功率，镀膜顺序为：

对基材预处理离子轰击；

按照设计的膜系结构，在离子轰击后的基材表面磁控溅射镀膜附着力增强层、纳米石墨烯层、金属功能层、抗氧化层；

第四步：完成镀膜，关闭设备、破空，取出成品。