[发明专利]一种显示面板及电子设备在审
申请号: | 202211093792.2 | 申请日: | 2022-09-08 |
公开(公告)号: | CN115632052A | 公开(公告)日: | 2023-01-20 |
发明(设计)人: | 陈鑫 | 申请(专利权)人: | 厦门天马显示科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/121 |
代理公司: | 北京允天律师事务所 11697 | 代理人: | 张忠魁 |
地址: | 361101 福建省厦门市火*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 电子设备 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
衬底;
位于所述衬底一侧的阵列层,所述阵列层中具有第一类型薄膜晶体管和第二类型薄膜晶体管;
其中,所述第一类型薄膜晶体管的第一有源层和第二类型薄膜晶体管的第二有源层均为金属氧化物有源层,所述第一类型薄膜晶体管的亚阈值摆幅值大于所述第二类型薄膜晶体管的亚阈值摆幅值。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一类型薄膜晶体管的亚阈值摆幅值大于0.4v/dec。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二类型薄膜晶体管的亚阈值摆幅值小于0.3v/dec。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一类型薄膜晶体管包括在第一方向上位于所述第一有源层两侧的第一底栅和第一顶栅;
所述第二类型薄膜晶体管包括在所述第一方向上位于所述第二有源层两侧的第二底栅和第二顶栅;
在所述第一方向上,所述第一顶栅与所述第一有源层之间的距离为D1,所述第二顶栅与所述第二有源层之间的距离为D2,D1>D2;
其中,所述第一方向垂直于所述衬底所在平面。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,在所述第一方向上,所述第一有源层与所述第一底栅之间的距离为D3,D1≥2*D3。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,在所述第一方向上,所述第二有源层与所述第二底栅之间的距离为D4,D2≤D4/2。
7.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述阵列层包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层;
所述第一底栅和所述第二底栅位于所述衬底上;所述第一绝缘层位于所述第一底栅和所述第二底栅背离所述衬底的一侧,且覆盖所述第一底栅和所述第二底栅;
所述第一有源层位于所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧;
所述第二绝缘层位于所述第一有源层背离所述衬底的一侧,且覆盖所述第一有源层和所述第一绝缘层;
所述第二有源层位于所述第二绝缘层背离所述衬底的一侧;
所述第三绝缘层位于所述第二有源层背离所述衬底的一侧,且覆盖所述第二有源层和所述第二绝缘层;
所述第一顶栅和所述第二顶栅位于所述第三绝缘层背离所述衬底的一侧。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述阵列层还包括:第四绝缘层;
所述第四绝缘层位于所述第一顶栅和所述第二顶栅背离所述衬底的一侧,且覆盖所述第一顶栅、所述第二顶栅和所述第三绝缘层;
所述第一类型薄膜晶体管还包括第一源极和第一漏极,所述第二类型薄膜晶体管还包括第二源极和第二漏极;
所述第一源极、所述第二源极、所述第一漏极和所述第二漏极位于所述第四绝缘层背离所述衬底的一侧;
所述第一源极和所述第一漏极与所述第一有源层连接,所述第二源极和所述第二漏极与所述第二有源层连接。
9.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,
所述第一类型薄膜晶体管还包括第一源极和第一漏极,所述第一源极和所述第一漏极与所述第一有源层连接;
所述第二类型薄膜晶体管还包括第二源极和第二漏极,所述第二源极和所述第二漏极与所述第二有源层连接;
所述第一源极、所述第二源极、所述第一漏极和所述第二漏极与所述第一顶栅、所述第二顶栅同层设置。
10.根据权利要求9所述的显示面板,特征在于,
所述第一类型薄膜晶体管还包括第一欧姆接触层,所述第一欧姆接触层位于所述第一有源层上,所述第一源极和所述第一漏极分别通过所述第一欧姆接触层与所述第一有源层连接;
所述第二类型薄膜晶体管还包括第二欧姆接触层,所述第二欧姆接触层位于所述第二有源层上,所述第二源极和所述第二漏极分别通过所述第二欧姆接触层与所述第二有源层连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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