[发明专利]一种使用咪唑衍生物制备高性能量子点复合材料的方法

权利要求书

1.一种制备量子点复合材料的方法，所述量子点复合材料包含分散于一种聚合物基质中的量子点，其特征在于，所述聚合物基质由至少一种具有≥2官能度的多硫醇单体、至少一种含有≥2官能度的多烯基单体和至少一种含有≥2官能度的多异氰酸酯基单体制备得到；

所述制备量子点复合材料的方法包含以下步骤：

i)提供量子点材料、至少一种具有≥2官能度的多硫醇单体、至少一种含有≥2官能度的多烯基单体和至少一种含有≥2官能度的多异氰酸酯基单体；

ii)将至少一种具有≥2官能度的多硫醇单体、式(I)的咪唑衍生物和光引发剂进行混合，然后再与至少一种含有≥2官能度的多烯基单体和至少一种含有≥2官能度的多异氰酸酯基单体进行混合，最后和量子点进行混合；

iii)将步骤ii)的混合物依次经过光照和加热处理得到交联聚合物；

所述式(I)的咪唑衍生物的结构为：

其中，

R1选自C1至C15烷基、C3至C15环烷基、芳基、芳烷基中的一种；

R2选自氢、C1至C15的烷基、C3至C15环烷基；

R3选自C1至C15烷基、-CH₂CH₂COOR4、C3至C15环烷基、芳基、芳烷基中的一种；

R4选自C1至C15烷基、C3至C15环烷基、芳基、芳烷基中的一种。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，多硫醇单体具有下式：

R_x(SH)_y，其中R_x为具有y价的烃基基团或杂烃基基团，并且y≥2。

3.根据权利要求1-2任一项所述的方法，其特征在于，所述多硫醇单体选自下式化合物中的一种或多种：

其中n为2-10的整数，R₁和R₂相同或不同且独立地选自-CH₂-CH(SH)CH₃和-CH₂-CH₂-SH；

或者，

其中R₃、R₄、R₅和R₆相同或不同且独立地选自-C(O)-CH₂-CH₂-SH、

-(O)-CH₂-CH(SH)CH₃、-CH₂-C(-CH₂-O-C(O)-CH₂-CH₂-SH)₃、-C(O)-CH₂-SH和-C(O)-CH(SH)-CH₃；

或者，

其中R₇、R₈和R₉相同或不同且独立地选自-C(O)-CH₂-CH₂-SH、-C(O)-CH₂-CH(SH)CH₃、-C(O)-CH₂-SH和-C(O)-CH(SH)-CH₃。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，多异氰酸酯基单体选自下式化合物中的一种或多种：

或者，

其中m、n、p为1-10的整数。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多烯基单体选自下式化合物中的一种或多种：

或者，

其中m、n、p为1-10的整数。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述咪唑衍生物中R3选自-CH₂CH₂COOR4。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述咪唑衍生物选自如下化合物：