[发明专利]一种降低透明CPI基膜黄色指数的工艺方法

说明书

本发明公开了一种降低透明CPI基膜黄色指数的工艺方法，包括如下步骤：S1，240～260℃下，在聚酰亚胺薄膜表面沉积SiO₂层，沉积完成后冷却至室温，并静置于真空环境中；S2，在SiO₂层表面磁控溅射ITO膜层，ITO膜层的厚度与聚酰亚胺薄膜的吸收波长相适应。本发明通过在聚酰亚胺薄膜表面依次设置SiO₂层和ITO膜层，形成复合涂层结构，使复合涂层结构与聚酰亚胺薄膜的吸收波长形成互补，在保证透射率不降低的同时，使整体膜层的黄色指数显著降低。

技术领域

本发明涉及薄膜材料领域，特别是一种降低透明CPI基膜黄色指数的工艺方法。

背景技术

目前，透明聚酰亚胺(简称CPI)可广泛应用于微电子以及光电子等高技术领域。例如在光通讯领域中用作光波导材料、滤光片、光纤、光电封装材料、二阶非线性光学材料、光折变材料、光敏材料以及光电材料等。在液晶显示领域用作取向膜材料、负性补偿膜、柔性有机电致发光显示器的塑料基板等。透明聚酰亚胺薄膜在自然光线中，尤其在紫外线照射下，内部分子由于对不同波长的吸收，会产生震动与结构的细微变化，反映到视觉上的效果会造成出现黄变，影响薄膜材料的整体透明度和使用效果。故需要提出一种新的工艺手段用于解决上述现有问题。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种降低透明CPI基膜黄色指数的工艺方法，用于解决现有透明聚酰亚胺薄膜在自然光线中易在视觉效果上表现出黄变，从而影响薄膜材料的整体透明度和使用效果的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种降低透明CPI基膜黄色指数的工艺方法，包括如下步骤：S1，240～260℃下，在聚酰亚胺薄膜表面沉积SiO₂层，沉积完成后冷却至室温，并静置于真空环境中；S2，在SiO₂层磁控溅射ITO膜层，ITO膜层的厚度与聚酰亚胺薄膜的吸收波长相适应。

优选的，S1步骤中，采用磁控溅射法在聚酰亚胺薄膜表面沉积SiO₂层。

优选的，S1步骤中，SiO₂层的厚度为50～60nm。

优选的，S1步骤中，真空环境中静置时间为0.5～1h。

优选的，ITO膜层的厚度为120～275nm，聚酰亚胺薄膜的吸收波长所对应的色相图区域包括Y、C、G、B区域，且ITO膜层的厚度与聚酰亚胺薄膜的吸收波长相适应。

具体地，聚酰亚胺薄膜的吸收波长所对应色相为Y区域时，ITO膜层的厚度为120～155nm。

具体地，聚酰亚胺薄膜的吸收波长所对应色相为C区域时，ITO膜层的厚度为155～205nm。

具体地，聚酰亚胺薄膜的吸收波长所对应色相为G区域时，ITO膜层的厚度为205～225nm。

具体地，聚酰亚胺薄膜的吸收波长所对应色相为B区域时，ITO膜层的厚度为225～275nm。

优选的，聚酰亚胺薄膜的黄色指数YI4，透过率大于85％。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明提供一种降低透明CPI基膜黄色指数的工艺方法，通过在聚酰亚胺薄膜表面依次设置SiO₂层和ITO膜层，形成复合涂层结构，使复合涂层结构与聚酰亚胺薄膜的吸收波长形成互补，在保证透射率不降低的同时，使整体膜层的黄色指数显著降低。

附图说明

图1是本发明中降低透明CPI基膜黄色指数的工艺方法一实施方式的工艺流程图；

图2本发明中降低透明CPI基膜黄色指数的工艺方法的色相图。

具体实施方式