[发明专利]一种降低透明CPI基膜黄色指数的工艺方法在审
| 申请号： | 202211084868.5 | 申请日： | 2022-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN115537729A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 屠国力;田楠;林养唐;任毅;屠楠 | 申请（专利权）人： | 深圳市氟德特科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/10 | 分类号： | C23C14/10;C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 张璐 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 透明 cpi 黄色 指数 工艺 方法 | ||
1.一种降低透明CPI基膜黄色指数的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1，240～260℃下，在聚酰亚胺薄膜表面沉积SiO2层，沉积完成后冷却至室温，并静置于真空环境中；
S2，在所述SiO2层磁控溅射ITO膜层，所述ITO膜层厚度与聚酰亚胺薄膜的吸收波长相适应。
2.根据权利要求1中所述降低透明CPI基膜黄色指数的工艺方法，其特征在于，所述S1步骤中，采用磁控溅射法在聚酰亚胺薄膜表面沉积SiO2层。
3.根据权利要求2中所述降低透明CPI基膜黄色指数的工艺方法，其特征在于，所述S1步骤中，所述SiO2层的厚度为50～60nm。
4.根据权利要求1中所述降低透明CPI基膜黄色指数的工艺方法，其特征在于，所述S1步骤中，真空环境中静置时间为0.5～1h。
5.根据权利要求1中所述降低透明CPI基膜黄色指数的工艺方法，其特征在于，所述ITO膜层的厚度为40～200nm，所述聚酰亚胺薄膜的吸收波长所对应的色相图区域包括Y、C、G、B区域，且所述ITO膜层的厚度与聚酰亚胺薄膜的吸收波长相适应。
6.根据权利要求5中所述降低透明CPI基膜黄色指数的工艺方法，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜的吸收波长所对应色相为Y区域，所述ITO膜层的厚度为40～80nm。
7.根据权利要求1中所述降低透明CPI基膜黄色指数的工艺方法，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜的吸收波长所对应色相为C区域，所述ITO膜层的厚度为80～120nm。
8.根据权利要求1中所述降低透明CPI基膜黄色指数的工艺方法，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜的吸收波长所对应色相为G区域，所述ITO膜层的厚度为120～160nm。
9.根据权利要求1中所述降低透明CPI基膜黄色指数的工艺方法，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜的吸收波长所对应色相为B区域，所述ITO膜层的厚度为160～200nm。
10.根据权利要求1中所述降低透明CPI基膜黄色指数的工艺方法，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜的黄色指数YI4，透过率大于85％。
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