[发明专利]一种激光陀螺电极及制造方法在审
| 申请号: | 202211068625.2 | 申请日: | 2022-09-02 |
| 公开(公告)号: | CN115479596A | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
| 发明(设计)人: | 王立斌 | 申请(专利权)人: | 天津集智航宇科技有限公司 |
| 主分类号: | G01C19/66 | 分类号: | G01C19/66;C23C14/35;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司: | 中国和平利用军工技术协会专利中心 11215 | 代理人: | 刘光德 |
| 地址: | 300451 天津市滨海新区塘沽*** | 国省代码: | 天津;12 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 激光 陀螺 电极 制造 方法 | ||
1.一种激光陀螺电极,其特征在于,所述电极包括阴极和阳极,所述电极基体为圆形帽状,所述电极基体的材料为单一耐高温材料;所述电极基体下端有向外伸出的折边,所述折边用作电极与激光陀螺之间的密封面;
所述电极基体的内表面被抛光到规定光洁度,并在所述电极的内表面和所述密封面上镀覆预定厚度的高纯金属材料镀层。
2.如权利要求1所述的电极,其特征在于,所述电极基体的材料采用以下材料中的一种:微晶玻璃、石英玻璃或者超因瓦合金。
3.如权利要求2所述的电极,其特征在于,采用磁控离子溅射镀膜机对所述电极镀膜;所述高纯金属材料为高纯铝或高纯铍,金属材料的纯度大于99.99%,所述高纯金属材料镀层的预定厚度为:5~10um。
4.如权利要求3所述的电极,其特征在于,在所述密封面与激光陀螺的接合面上粘接高纯铟密封环,铟的纯度大于99.99%。
5.如权利要求2所述的电极,其特征在于,当采用超因瓦合金做电极时,在所述电极基体内嵌入一层高纯铝壳体代替所述高纯金属材料镀层,铝的纯度大于99.99%;
所述电极基体和所述高纯铝壳体之间采用真空焊料焊接。
6.一种激光陀螺电极的制作方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
步骤1,将电极材料加工为圆形帽状电极基体,所述电极基体内表面作抛光处理到规定光洁度;
步骤2,将完成步骤1的所述电极基体进行清洗和酸腐蚀,以去除电极基体表面的杂质层;
步骤3,在完成步骤2的所述电极基体的内表面和密封面上附着高纯金属材料层;
步骤4,将完成步骤3的所述电极基体放入氧化炉中,在氧气环境下用预定加热温度加热氧化预定时间。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述电极基体的规定光洁度须达到以下要求:使用放大倍数大于20倍的工具显微镜观察所述电极基体的内表面时,所述内表面光滑且观察不出缺陷点,所述缺陷点包括:划痕、凹坑或凸起。
8.如权利要求6所述的方法,其特征在于,步骤1还包括:
当采用微晶玻璃或者石英玻璃做电极基体的材料时,采用金刚石磨具研磨加工为圆形帽状电极基体;
或者,当采用超因瓦合金做电极基体的材料时,采用车铣加工方式制成圆形帽状电极基体。
9.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述预定加热温度为:100~300℃,加热氧化预定时间为:大于等于5小时。
10.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述步骤3包括:
将完成步骤2的所述电极基体放入磁控离子溅射镀膜机中,在所述电极基体的内表面和密封面上镀制5~10um的高纯铝或高纯铍膜层;
或者,在采用超因瓦合金做电极基体的材料时,在清洗后的所述电极基内表面和密封面上,用高纯铟做焊料真空焊接一个高纯铝材料的圆帽状内壳。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津集智航宇科技有限公司,未经天津集智航宇科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211068625.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多租户服务的实现方法及系统
- 下一篇:一种授时干扰检测方法





