[发明专利]一种晶圆镀膜载具在审
| 申请号: | 202211062547.5 | 申请日: | 2022-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN115662938A | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
| 发明(设计)人: | 蔡则凡;张蔡星;钱超 | 申请(专利权)人: | 江苏高光半导体材料有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董成 |
| 地址: | 212400 江苏省镇*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 镀膜 | ||
本发明提出的一种晶圆镀膜载具,涉及晶圆镀膜加工领域。该镀膜载具包括:支承件,其具有至少一个上下贯通的容置区;以及托爪,多个托爪分布于容置区的边缘,且托爪的前端伸入到容置区的区域内;以及间隔物,其具有多个,多个间隔物设置于支承件上,且分布在容置区的外围;间隔物凸出于支承件上的支承面,且超出支承面的部分的高度不超过1mm。本发明应用于晶圆在蒸镀机内镀膜,能够克服晶圆因自重产生中部下垂和边缘起翘继而可能导致的晶圆边缘与冷却板表面直接接触产生局部过快降温甚至产生压迫的情形,晶圆破损率大幅度降低;与此同时,冷却板与晶圆的间隔距离通过设定间隔物的高度得以控制,冷却板对晶圆的冷却效率和效果得以保障。
技术领域
本发明涉及晶圆镀膜加工领域,尤其涉及一种晶圆镀膜载具。
背景技术
蒸镀作为使用较早、用途较广泛的气相沉积技术,是将材料在真空环境中加热,使之气化并沉积到基片而获得薄膜材料的方法,又称为真空蒸镀或真空镀膜。晶圆作为制造半导体芯片的基本材料,其加工过程中,需要在其表面蒸镀上具有特定功能的膜层,该过程一般在真空蒸镀机中完成。
在真空蒸镀机中,晶圆通常被置于镀膜载具上,如图1中所示,由镀膜载具上的托爪支撑住晶圆的边缘。为了保证镀膜质量,在蒸镀时晶圆远离镀膜面的一侧会设置一个冷却板,晶圆置于镀膜载具中的托爪上后,冷却板则紧贴晶圆的外侧表面,以降低晶圆的温度。
在以往,现有的镀膜载具与冷却板配合后会导致晶圆在镀膜过程中产生局部破碎,且破碎主要集中在晶圆的边缘。因此,亟需寻求一种解决现有技术中的上述问题,降低晶圆破损率的方案。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的问题,本发明提供了一种晶圆镀膜载具,该镀膜载具包括:
支承件,其具有至少一个上下贯通的容置区;以及
托爪,多个托爪分布于容置区的边缘,且托爪的前端伸入到容置区的区域内;以及
间隔物,其具有多个,多个间隔物设置于支承件上,且分布在容置区的外围;
间隔物凸出于支承件上的支承面,且超出支承面的部分的高度不超过1mm。
进一步地,所述间隔物超出所述支承面的部分的高度为0.4~0.6mm。
进一步地,所述间隔物为位于所述支承面上且与所述支承件一体成型的凸起;或者,
所述的间隔物为设置在所述支承件上的支撑块。
进一步地,所述的支撑块以固定或者非固定的方式与所述支承件相接。
进一步地,所述的支承件上设置有凹槽,所述的支撑块以非固定的方式放置于所述凹槽内。
进一步地,所述的支撑块采用粘接或者焊接的方式固定结合在所述支承件上。
进一步地,所述的间隔物至少为3个,各间隔物依次直线连接所围成的图形为一个多边形。
进一步地,所述的间隔物围成的所述多边形的几何中心与所述容置区的几何中心基本重合。
进一步地,所述的支承件为一个整体;或者,
所述的支承件包括各自独立的第一支承板和第二支承板。
进一步地,所述的托爪与所述支承件一体成型;或者,
所述的托爪以可拆卸的或不可拆卸的方式固定结合在所述支承件上。
本发明的有益效果为:
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