[发明专利]一种CMOS图像传感器的形成方法

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底(1)，所述衬底(1)中具有第一导电类型的隔离结构(7)，以定义出光电二极管区；

在所述衬底(1)上形成相应的栅极(2)，所述栅极(2)通过栅介质层(3)与衬底(1)绝缘隔离；

向所述光电二极管区的所述衬底(1)注入第二导电类型的离子，以形成深掺杂区(4)；

向所述深掺杂区(4)的表层注入相应的第一导电类型的离子，形成第一导电类型的浅掺杂区(5)；

在所述栅极(2)的侧壁上形成侧墙结构(6)。

2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，形成所述浅掺杂区(5)的步骤包括：

在所述衬底(1)的表面和所述栅极(2)的顶部上形成图案化的光阻层，所述光阻层暴露出所述栅极(2)靠近所述深掺杂区(4)一侧的侧壁；

以所述光阻层为掩膜，向所述衬底(1)注入第一导电类型的离子，形成第一导电类型的浅掺杂区(5)。

3.如权利要求1或2所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，注入形成第一导电类型的浅掺杂区(5)时，注入第一导电类型的离子的能量至多为20KeV。

4.如权利要求3所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，形成第一导电类型的浅掺杂区(5)时，注入第一导电类型离子的能量范围为1KeV～15KeV。

5.如权利要求1或2所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，形成第一导电类型的浅掺杂区(5)时，注入第一导电类型的离子的剂量范围为1E13/cm²～3E13/cm²。

6.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述侧墙结构(6)包括依次附着在所述栅极(2)侧壁上的侧墙一、侧墙二。

7.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述衬底(1)中，四个相邻的所述光电二极管区组成2*2阵列，且四个所述光电二极管区相互紧挨的角区域上对应地设有相互分立的四个所述栅极(2)，所述深掺杂区(4)形成在栅极(2)背向所述2*2阵列的中心的一侧的衬底(1)中。

8.如权利要求7所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙结构(6)之后，还包括：向四个所述栅极(2)所围的所述隔离结构(7)注入相应的第二导电类型的离子，以形成浮置扩散区(8)。

9.如权利要求8所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述2*2阵列外围的所述衬底(1)中形成有四个相互隔离的光电二极管区，四个所述光电二极管区共享同一个所述浮置扩散区(8)。

10.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型，所述深掺杂区(4)为N型阱区。