[发明专利]晶圆边缘曝光结构、方法和设备以及晶圆光刻方法

说明书

本申请提供一种晶圆边缘曝光结构、方法和设备以及晶圆光刻方法，其中所述晶圆边缘曝光结构包括：在待曝光晶圆的边缘设置一个或多个光纤；所述光纤用于定位所述待曝光晶圆的部分/全部边缘，以完成晶圆边缘曝光。通过在待曝光晶圆的边缘设置一个或多个定位光纤，以定位晶圆部分/全部边缘从而完成晶圆边缘曝光。无需采用ASML光刻机进行晶圆边缘曝光过程，也无需额外设置ZERO MARK(0层标记层)，但可更加准确的完成晶圆边缘曝光，从而解放光刻机的产能。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆边缘曝光结构、方法和设备以及晶圆光刻方法。

背景技术

随着半导体行业的快速发展，目前半导体光刻多采用ASML光刻机进行光刻工艺。其利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的晶圆薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上的图形复印到薄片上，使薄片具有电子线路图的作用。

在晶圆薄片上设置一层ZERO MARK(0层)，该ZERO MARK上没有任何图形，只在圆片左右两边的位置设置2个对准标记，光刻过程中需对准晶圆薄片上的对准标记。由于晶圆边缘区域本身形貌起伏不平，因此采用ASML光刻机对晶圆边缘进行曝光不仅占用光刻机使光刻机的产能下降，造成光刻工艺的成本较高，而且在晶圆边缘曝光过程中难以实现准确的对准。

因此，需要一种新的晶圆边缘曝光方案。

发明内容

有鉴于此，本说明书实施例提供一种晶圆边缘曝光结构、方法和设备以及晶圆光刻方法，应用于晶圆光刻工艺过程。

本说明书实施例提供以下技术方案：

本说明书实施例提供一种晶圆边缘曝光结构，所述晶圆边缘曝光结构包括：

在待曝光晶圆的边缘设置一个或多个光纤；所述光纤用于定位所述待曝光晶圆的部分/全部边缘，以完成晶圆边缘曝光。

本说明书实施例还提供一种晶圆边缘曝光方法，应用本说明书实施例提供任一技术方案的晶圆边缘曝光结构，所述晶圆边缘曝光方法包括：

根据待曝光晶圆上图形位置设置一个或多个光纤；

通过至少两个光纤进行所述待曝光晶圆边缘的曝光。

本说明书实施例还提供一种晶圆边缘曝光设备，所述晶圆边缘曝光设备包括半导体TRACK设备；采用半导体TRACK设备进行本说明书实施例提供任一技术方案的晶圆边缘曝光方法，其中半导体TRACK设备中放置如本说明书实施例提供任一技术方案的晶圆边缘曝光结构。

本说明书实施例还提供一种晶圆光刻方法，所述晶圆光刻方法包括：

根据待光刻图形位置，在晶圆需光刻对应的初始位置设置一个或多个光纤；

根据所述光纤及所述初始位置确定目标位置，在晶圆所述目标位置上完成光刻图形。

与现有技术相比，本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括：

通过设置光纤在晶圆上定位，从而实现晶圆边缘曝光甚至晶圆指定位置的图形光刻，无需采用ASML光刻机进行晶圆边缘曝光，也无需额外设置ZERO MARK(0层标记层)，不仅可以实现更加准确的晶圆边缘曝光，而且极大地解放了光刻机的生产力，将光刻机只进行有效的光刻即光刻出图形，进一步提高生产力。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是现有技术中ZERO MARK的示意图；