[发明专利]晶圆边缘曝光结构、方法和设备以及晶圆光刻方法在审
| 申请号： | 202211054387.X | 申请日： | 2022-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115440611A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 王红福;苏少明;赵开乾 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人： | 黎飞鸿;郑纯 |
| 地址： | 201208 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 边缘 曝光 结构 方法 设备 以及 圆光 | ||
1.一种晶圆边缘曝光结构，其特征在于，所述晶圆边缘曝光结构包括：
在待曝光晶圆的边缘设置一个或多个光纤；所述光纤用于定位所述待曝光晶圆的部分/全部边缘，以完成晶圆边缘曝光。
2.根据权利要求1所述的晶圆边缘曝光结构，其特征在于，在所述待曝光晶圆的水平位置方向及高度方向分别设置所述一个或多个的光纤。
3.根据权利要求2所述的晶圆边缘曝光结构，其特征在于，所述光纤在水平位置方向上包括至少2个方向。
4.根据权利要求1所述的晶圆边缘曝光结构，其特征在于，所述光纤根据晶圆对应光罩的位置进行确定。
5.根据权利要求1所述的晶圆边缘曝光结构，其特征在于，所述晶圆边缘曝光结构不包括原始光刻层，所述原始光刻层未设置标记位置。
6.一种晶圆边缘曝光方法，其特征在于，应用如权利要求1-5中任一项所述的晶圆边缘曝光结构，所述晶圆边缘曝光方法包括：
根据待曝光晶圆对应光罩上图形的位置设置一个或多个光纤；
通过至少两个所述光纤进行所述待曝光晶圆边缘的曝光。
7.根据权利要求6所述的晶圆边缘曝光方法，其特征在于，所述根据待曝光晶圆对应光罩上图形的位置设置一个或多个光纤，包括：
根据所述待曝光晶圆的水平位置方向及高度方向设置所述一个或者多个的光纤。
8.根据权利要求6所述的晶圆边缘曝光方法，其特征在于，所述光纤无需根据原始光刻层上的标记位置进行确定。
9.一种晶圆边缘曝光设备，其特征在于，所述晶圆边缘曝光设备包括半导体TRACK设备；
采用半导体TRACK设备进行如权利要求6-8中任一项的晶圆边缘曝光方法，其中所述半导体TRACK设备中放置如权利要求1-5中任一项的晶圆边缘曝光结构。
10.一种晶圆光刻方法，其特征在于，所述晶圆光刻方法包括：
根据待光刻图形位置，在晶圆需光刻对应的初始位置设置一个或多个光纤；
根据所述光纤及所述初始位置确定目标位置，在晶圆所述目标位置上完成光刻图形。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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