[发明专利]提高nor flash控制器可靠性方法、系统、设备及存储介质

说明书

本发明涉及计算机技术领域，具体涉及提高nor flash控制器可靠性方法、系统、设备及存储介质。该方法该方法包括以下步骤：获取第一读指令，flash控制器根据获取的所述第一读指令以3byte模式读取flash进行启动；若启动成功，控制wdt进行关断，所述wdt停止计时；若不能给启动成功，则不会关断所述wdt，所述wdt计时到达时，切换所述flash控制器从3byte模式读取到4byte模式读取，同时复位cpu；所述flash控制器获取第二读指令，所述flash控制器根据获取的所述第二读指令以4byte模式读取flash进行二次启动。本发明在flash控制器中增加wdt，wdt默认为开启状态，用于启动失败时定时切换读取模式，同时复位cpu重新启动，主要通过优化flash控制器，简化soc系统访问nor flash时软件与硬件复杂度。

技术领域

本发明涉及计算机技术领域，尤其涉及提高nor flash控制器可靠性方法、系统、设备及存储介质。

背景技术

在soc系统中，系统可以从nor flash直接读取数据，进行启动，因此nor flash的可靠读取越来越受到关注。

在现有的soc系统中，flash分为3byte、4byte模式，用于扩大nor flash的地址空间，系统上电时nor flash控制器与nor flash默认为3byte模式，通过软件配置可以调整为4byte模式，复位时要通过软件配置flash控制器与硬件复位flash或软件配置flash控制器与flash方式保证flash控制器与flash模式保持一致。

现有nor flash控制器缺点为系统复位或外部复位时需要软件配置控制器、硬件复位flash才能正常重启，增加软件与硬件复杂度。

发明内容

为了解决上述现有技术中存在的技术问题，本发明提供了一种提高nor flash控制器可靠性方法、系统、设备及存储介质，主要通过优化flash控制器，简化soc系统访问norflash时软件与硬件复杂度。

为实现上述目的，本发明实施例提供了如下的技术方案：

第一方面，在本发明提供的一个实施例中，提供了提高nor flash控制器可靠性方法，该方法包括以下步骤：

获取第一读指令，flash控制器根据获取的所述第一读指令以3byte模式读取flash进行启动；

若启动成功，控制wdt进行关断，所述wdt停止计时；

若不能给启动成功，则不会关断所述wdt，所述wdt计时到达时，切换所述flash控制器从3byte模式读取到4byte模式读取，同时复位cpu；所述flash控制器获取第二读指令，所述flash控制器根据获取的所述第二读指令以4byte模式读取flash进行二次启动。

作为本发明的进一步方案，所述二次启动，包括二次启动未成功，则wdt在计时到后flash控制器不再读取flash，并标识启动失败。

作为本发明的进一步方案，所述flash控制器根据获取的第一读指令以3byte模式读取flash进行启动，包括，flash控制器根据获取的第一读指令读取flash，获得第一读取指令；

flash控制器将获取的第一读取指令传递给cpu，判断读取指令是否正确，若正确，cpu正确执行，且并对wdt进行关断，wdt停止计时。

作为本发明的进一步方案，所述flash控制器根据获取的第一读指令以3byte模式读取flash进行启动，包括，flash控制器根据获取的第一读指令读取flash，获得第一读取指令；

flash控制器将获取的读取指令传递给cpu，判断读取指令是否正确，若不正确，若不正确则不会关断wdt，wdt计时到达时，切换flash控制器从3byte到4byte，同时复位cpu。